Igbt Module Bsm50gp120

8/6/2019 Igbt Module Bsm50gp120

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120

Elektrische Eigenschaften / Electrical propertiesCharakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.Modulinduktivitätstray inductance module Ls CE - - 100 nH

Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chiplead resistance, terminals-chip TC = 25°C RCC'+EE' - 7 - mW

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter min. typ. max.Durchlaßspannung VGE = 0V, Tvj = 25°C, IF = 50 A VF - 1,75 2,2 Vforward voltage VGE = 0V, Tvj = 125°C, IF = 50 A - 1,7 - VRückstromspitze IF=INenn, - diF/dt = 1600A/µspeak reverse recovery current VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V IRM - 75 - A

VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 600 V - 85 - ASperrverzögerungsladung IF=INenn, - diF/dt = 1600A/µsrecovered charge VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V Qr - 5,5 - µAs

VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 600 V - 12 - µAsAbschaltenergie pro Puls IF=INenn, - diF/dt = 1600A/µsreverse recovery energy VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V ERQ - 1,6 - mWs

VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 600 V - 4 - mWs

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper min. typ. max.Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC = 25,0 A VCE sat - 2,2 2,55 Vcollector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 25,0 A - 2,5 - VGate-Schwellenspannunggate threshold voltage VCE = VGE, Tvj = 25°C, IC = 1mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 VEingangskapazitätinput capacitance

f = 1MHz, Tvj = 25°CVCE = 25 V, VGE = 0 V Cies - 1,5 - nF

Kollektor-Emitter Reststrom VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE = 1200 V ICES - 1,5 500 µAcollector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj = 125°C, VCE = 1200 V - 2,0 - mAGate-Emitter Reststromgate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 300 nA

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper min. typ. max.Durchlaßspannung Tvj = 25°C, IF = 25,0 A VF - 2,1 2,4 Vforward voltage Tvj = 125°C, IF = 25,0 A - 2 - V

NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor min. typ. max.Nennwiderstandrated resistance TC = 25°C R25 - 5 - kW

Abweichung von R100

deviation of R100TC = 100°C, R100 = 493 W DR/R -5 5 %

Verlustleistungpower dissipation

TC = 25°C P25 20 mW

B-WertB-value

R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 3375 K




Thermische Eigenschaften / Thermal propertiesmin. typ. max.

Innerer Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode RthJC - - 0,65 K/Wthermal resistance, junction to case Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 0,35 K/W

Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 0,55 K/WTrans. Bremse/ Trans. Brake - - 0,55 K/WDiode Bremse/ Diode Brake - - 1,2 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode l Paste =1W/m*K RthCK - 0,04 - K/Wthermal resistance, case to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter l grease =1W/m*K - 0,02 - K/W

Diode Wechsr./ Diode Inverter - 0,04 - K/WHöchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C

Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C

Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Innere Isolationinternal insulation Al2O3

CTIcomperative tracking index 225

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M 3 Nmmounting torque ±10%Gewichtweight G 300 g




I C [ A ]

VCE [V]

I C [ A ]

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I C = f (VCE)Output characteristic Inverter (typical) VGE = 15 V

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5

Tj = 25°CTj = 125°C

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5

VGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I C = f (VCE)Output characteristic Inverter (typical) Tvj = 125°C




I C [ A ]

VGE [V]

I F [ A ]

VF [V]

Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) I F = f (VF)Forward characteristic of FWD Inverter (typical)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0 2 4 6 8 10 12 14

Tj = 25°CTj = 125°C

Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) I C = f (VGE)Transfer characteristic Inverter (typical) VCE = 20 V

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0 0,5 1 1,5 2 2,5

Tj = 25°CTj = 125°C




600 V

15 Ohm

E [ m W s

IC [A]

600 V

E [ m W s

RG [W

]

Schaltverluste Wechselr. (typisch) E on = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) VCC =

Switching losses Inverter (typical) T j = 125°C, VGE = ±15 V, RGon = RGoff =

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

0 20 40 60 80 100 120

EonEoff Erec

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

0 5 10 15 20 25 30 35

EonEoff Erec

Schaltverluste Wechselr. (typisch) E on = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG)Switching losses Inverter (typical) T j = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn , VCC =




Z t h J C

[ K / W ]

t [s]

15 Ohm

I C [ A ]

VCE [V]

Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Z thJC = f (t)Transient thermal impedance Inverter

0,01

0,1

1

0,001 0,01 0,1 1 10

Zth-IGBTZth-FWD

Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) I C = f (VCE)Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG =

0

20

40

60

80

100

120

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

IC,ModulIC,Chip




I C [ A ]

VCE [V]

I F [ A ]

VF [V]

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4

Tj = 25°CTj = 125°C

Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I F = f (VF)Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)

Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) I C = f (VCE)Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) VGE = 15 V

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3

Tj = 25°CTj = 125°C




I F [ A ]

VF [V]

R [W ]

TC [°C]

Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) I F = f (VF)Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4

Tj = 25°CTj = 150°C

NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T)NTC- temperature characteristic (typical)

Rtyp

100

1000

10000

100000

0 20 40 60 80 100 120 140 160




Schaltplan/ Circuit diagram

Gehäuseabmessungen/ Package outlines

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keineEigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is

valid in combination with the belonging technical notes.

2 31

21

23

22

24

2019

13

4

1615

11

1817

12

5 6

10

7

14

NTC

98



Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. DieBeurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der

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Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zuden in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro inVerbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oderlebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringendempfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängigmachen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

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