Summary materials - VTK Gent · 2017. 5. 2. · Uit de kwantummechanica ontsproot het atoommodel...

70
qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwerty uiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasd fghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzx cvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq wertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyui opasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfg hjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxc vbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq wertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyui opasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfg hjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxc vbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq wertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyui opasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfg hjklzxcvbnmrtyuiopasdfghjklzxcvbn mqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwert yuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopas dfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklz Summary materials Materials science and engineering, an introduction by William D. Callister, Jr. 13-3-2010 Michel Foucart

Transcript of Summary materials - VTK Gent · 2017. 5. 2. · Uit de kwantummechanica ontsproot het atoommodel...

  • Chapter V: Diffusion qwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwerty

    uiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasd

    fghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzx

    cvbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq

    wertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyui

    opasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfg

    hjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxc

    vbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq

    wertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyui

    opasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfg

    hjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklzxc

    vbnmqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmq

    wertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyui

    opasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfg

    hjklzxcvbnmrtyuiopasdfghjklzxcvbn

    mqwertyuiopasdfghjklzxcvbnmqwert

    yuiopasdfghjklzxcvbnmqwertyuiopas

    dfghjklzxcvbnmqwertyuiopasdfghjklz

    Summary materials

    Materials science and engineering, an introduction by William D. Callister, Jr.

    13-3-2010

    Michel Foucart

  • Chapter I: Introduction

    1

    Chapter I: Introduction

    De wetenschap van materialen onderzoekt de bestaande verbanden tussen de structuur en

    de eigenschappen van materialen. De term structuur is in deze context gerelateerd aan de

    organisatie (subatomair, atomair, micro – en macroscopisch) van de interne componenten

    van een materiaal. De eigenschappen van een materiaal kunnen worden opgedeeld in zes

    categorieën: mechanisch, elektrisch, thermisch, magnetisch, optisch en chemisch.

    De structuur van een materiaal is afhankelijk van de manier waarop het is gemaakt en de

    prestatie van een materiaal is in functie van zijn eigenschappen.

    Classification of materials

    De vaste materialen kunnen worden opgedeeld in drie basisgroepen: metalen, keramische

    materialen (keramieken) en polymeren. Deze indeling is gebaseerd op hun chemische

    samenstelling atomaire structuur. Naast deze drie belangrijkste groepen zijn er ook nog de

    composieten, samenstellingen van één of meer van de bovenstaande basismaterialen.

    Metals

    Materialen die tot deze groep behoren zijn opgebouwd uit één of meer metallische

    elementen die meestal zijn aangevuld met kleine hoeveelheden non-metallische elementen.

    De atomen in metalen zijn uitermate geordend en ze zitten ook vrij dicht op elkaar. De

    meeste metalen zijn vrij stijf en sterk. Ze zijn tevens ductiel en hebben een hoge

    breuktaaiheid. Daarnaast zijn ze ook goede geleiders voor zowel elektriciteit als warmte.

    Keramische materialen

    Deze materialen zijn een mengsel van metallische en non-metallische elementen, meestal

    behorende tot de oxiden, nitraten of koolstoffen. Hun sterkte en stijfheid is vergelijkbaar

    met die van de metalen. Deze materialen zijn vaak ook zeer hard en worden daarom

    bestempeld als broze materialen. Doordat ze bros zijn worden ze uiteraard ook veel

    gevoeliger voor breuk. Het zijn tevens isolatoren en kunnen daarom veel beter tegen hoge

    temperaturen en vijandige omgevingen.

    Processing Structure Properties Performance

  • Chapter I: Introduction

    2

    Polymeren

    Deze groep bestaat voornamelijk uit plastic –en rubbermaterialen. Het zijn organische

    verbindingen die voornamelijk bestaan uit koolstof, waterstof en andere non-metallische

    elementen. Ze hebben een lage dichtheid en zijn in het algemeen veel minder stijf of sterk

    dan de andere materiaaltypes. Daarnaast zijn ze uitermate ductiel en buigzaam, waardoor ze

    eenvoudig in complexe structuren kunnen worden omgezet.

    Composieten

    Het doel van deze materialen is het bereiken van een combinatie van eigenschappen die niet

    voorkomt bij elk van de afzonderlijke elementen waaruit het is opgebouwd.

    Geavanceerde materialen

    Deze term wordt gegeven aan materialen die worden gebruikt in hoogtechnologische

    toepassingen.

    - Halfgeleiders

    - Biomaterialen (gebruikt bij implantaten in het menselijk lichaam)

    - Smart materials: deze kunnen veranderingen in de omgeving waarnemen en daarop

    reageren in een vooraf bepaalde manier. De componenten van zo’n materiaal

    bestaan uit een type sensor die een inputsignaal waarneemt en een actuator die

    daarop reageert.

    - Nanoengineered materials

  • Chapter II: Atomic structure and interatomic bonding

    3

    Chapter II: Atomic structure and interatomic bonding

    Fundamental concepts

    Elk chemisch element wordt gekarakteriseerd door het aantal protonen in zijn kern of het

    atoomgetal Z. Voor een elektrisch neutraal of compleet atoom is het atoomgetal tevens

    gelijk aan het aantal elektronen. De atoommassa A is de som van de massa van de protonen

    en neutronen die zich in de kern bevinden. Het aantal protonen in een atoom is steeds gelijk,

    maar het aantal neutronen kan verschillen. Hierdoor ontstaan er verschillende atomen van

    eenzelfde element die we isotopen noemen. Het atoomgewicht van een element is gelijk

    aan de gemiddelde massa van zijn in de natuur voorkomende isotopen. Een atomaire

    massa-eenheid wordt gedefinieerd als 1/12 van de atomaire massa van het meest

    voorkomende isotoop van koolstof. Eén mol van een bepaalde stof bevat 6.023 x 1023

    atomen of moleculen.

    Electrons in atoms

    Uit de kwantummechanica ontsproot het atoommodel van Bohr, waarin wordt

    verondersteld dat elektronen rondom de atoomkern cirkelen in discrete orbitalen. Een ander

    kwantummechanisch principe stelt dat elektronen slechts een bepaalde energiewaarde

    kunnen hebben. Ze kunnen echter wel van de ene schil naar de andere bewegen, waardoor

    we hun energie kunnen associëren met de schil waarin ze zich bevinden.

    Wegens de vele beperkingen van dit atoommodel, werd het golfmechanisch atoommodel

    ontwikkeld, waarin wordt aangenomen dat een elektron zowel een golf als een deeltje is. De

    positie wordt dan bepaald door de waarschijnlijkheid dat een elektronenwolk zich in een

    bepaalde omgeving rondom de kern bevindt.

    Elk afzonderlijk elektron wordt gekarakteriseerd door vier parameters die kwantumgetallen

    worden genoemd. De afzonderlijke schillen (K,L,M,N,O,…) worden gespecificeerd door het

    principiële kwantumgetal n. Het tweede kwantumgetal l stelt de subschil voor en krijgt de

    letters s, p, d of f mee afhankelijk van de vorm van de subschil. Het aantal mogelijke

    energietoestanden in elke subschil wordt bepaald door het derde kwantumgetal ml. De

    verschillende subschillen hebben respectievelijk 1, 3, 5 en 7 energietoestanden. Het vierde

    en laatste kwantumgetal ms wordt geassocieerd met het spinmoment van een elektron (naar

    beneden of naar boven).

    Om te bepalen in welke manier deze energietoestanden worden opgevuld met elektronen

    maken we gebruik van het Pauli-verbod. Dit principe stelt dat elke afzonderlijke toestand

    niet meer dan twee elektronen met tegengestelde spin kan bevatten. Dit resulteert in een

    maximum aantal elektronen van respectievelijk 2, 6, 10 en 14 per subschil. De

    elektronenconfiguratie van een atoom representeert de manier waarop deze verschillende

    toestanden worden bezet. De elektronen die zich op de buitenste schil bevinden worden

  • Chapter II: Atomic structure and interatomic bonding

    4

    valentie-elektronen genoemd. Wanneer een atoom 8 valentie-elektronen heeft spreekt men

    van een stabiele elektronenconfiguratie (uitz. Helium).

    The periodic table

    Deze tabel werd opgesteld op basis van de elektronenconfiguraties van de verschillende

    atomen. Elke horizontale rij wordt een periode genoemd, elke verticale rij een groep. De

    meest rechtse groep, groep 0, is die van de edelgassen. De elementen in groep VIIA worden

    de halogenen genoemd. Groepen IA en IIA worden respectievelijk de alkali en

    aardalkalimetalen genoemd. De elementen in de groepen IIIB – IIB kregen de benaming

    overgangsmetalen. De groepen IIIA – VA vertonen karakteristieken die tussen de metalen en

    niet-metalen in liggen.

    Elektropositieve elementen geven soms hun valentie-elektronen weg om zo positief geladen

    ionen te vormen. De elementen die zich aan de rechterkant van de tabel bevinden zijn

    elektronegatief, i.e. ze zullen gemakkelijk elektronen aanvaarden om zo negatief geladen

    ionen te vormen. Elk element bezit een bepaalde elektronegativiteit, die groter wordt van

    links naar rechts en van onder naar boven.

    Bonding forces and energies

    Elk atoom oefent twee krachten uit op een ander atoom wanneer beiden dicht bij elkaar

    worden gebracht: een aantrekkingskracht en een afstootkracht. De grootte van deze

    krachten is afhankelijk van de interatomaire afstand. De netto kracht tussen beide atomen is

    de som van deze twee krachten: N A RF F F . Er wordt een evenwichtstoestand bereikt

    wanneer beide krachten aan elkaar gelijk zijn. De afstand die beide atoomkernen op dit punt

    scheidt is dan gelijk aan r0 (meestal 0.3 nm). De bindingsenergie E0 tussen twee atomen

    bepaalt de hoeveelheid energie die nodig is om deze twee atomen te scheiden tot op een

    oneindige afstand.

    Primary interatomic bonds

    Ionenbinding

    Bestaat steeds in verbindingen tussen metallische en non-metallische elementen. De

    atomen van metalen geven eenvoudig hun valentie-elektronen op aan de niet-metalen. Aan

    het einde van het proces bezitten beide atomen een stabiele elektronenconfiguratie en een

    elektrische lading. Deze binding gaat dus steeds gepaard met de vorming van ionen. De

    bindingskrachten zijn coulombisch, i.e. positieve en negatieve ionen trekken elkaar aan. De

    grootte van deze binding is in alle richtingen gelijk. Hieruit volgt dat alle positieve ionen

    negatief geladen ionen moeten hebben als dichtste buur. Deze binding komt veel voor in

    keramische materialen. Ionische materialen zijn meestal hard en bros en het zijn bovendien

    elektrische en thermische isolatoren.

  • Chapter II: Atomic structure and interatomic bonding

    5

    Covalente binding

    Bij dit type binding worden stabiele elektronenconfiguraties bereikt door het delen van

    elektronen tussen aanliggende atomen. Beide atomen zullen op zijn minst één elektron aan

    de binding bijdragen en de gedeelde elektronen kunnen worden gezien alsof ze tot beide

    atomen behoren. Covalente bindingen kunnen zowel sterk (diamant) als zwak (bismuth) zijn.

    Polymeren typeren dit type binding.

    Opm.: het is mogelijk om interatomaire verbindingen te hebben die enerzijds ionisch en

    anderzijds covalent zijn. Hoe groter de afstand tussen de atomen in het PSE, hoe ionischer

    de verbinding.

    Metallische binding

    Dit type binding wordt gevonden in metalen en hun legeringen. Metallische materialen

    hebben maximaal drie valentie-elektronen. Deze elektronen zijn niet aan een specifiek

    atoom gebonden en zijn dus min of meer vrij om zich doorheen het hele materiaal te

    bewegen. Ze kunnen worden gezien als een elektronenwolk die eigen is aan het metaal. De

    overgebleven elektronen vormen samen met de kernen zogenaamde ionenkernen die

    positief geladen zijn. De vrije elektronen zorgen ervoor dat de ionenkernen elkaar niet

    kunnen afstoten en dat metalen goede geleiders zijn.

    Secondary bonding of van der Waals bonding

    Deze verbindingen worden veroorzaakt door atomaire of moleculaire dipolen. Een dipool

    bestaat wanneer er een soort scheidingslijn is tussen positief en negatief geladen delen van

    een atoom of molecule. Dipoolinteracties ontstaan tussen geïnduceerde dipolen,

    geïnduceerde dipolen en polaire moleculen en tussen polaire moleculen. De

    waterstofbinding is een speciaal geval van secundaire binding en meteen ook de sterkste.

    Het ontstaat tussen moleculen waarbij waterstof covalent gebonden is aan fluor, zuurstof of

    stikstof. Omdat het waterstofatoom slechts één elektron heeft, zal deze in het geval van een

    covalente binding een sterke positieve lading hebben die een grote aantrekkingskracht kan

    uitoefenen op het negatieve deel van aanliggende moleculen.

  • Chapter III: The structure of crystalline solids

    6

    Chapter III: The structure of crystalline solids

    Fundamentele concepten

    Een kristallijn materiaal is een materiaal waarin de atomen gesitueerd zijn in een

    herhaaldelijk patroon over grote atomaire afstanden. Wanneer dit patroon afwezig is

    spreekt men van niet-kristallijne of amorfe materialen. Alle metalen, de meeste keramische

    materialen en enkele polymeren vormen kristallijne structuren. De eigenschappen van deze

    kristallijnen zijn afhankelijk van de kristalstructuur van het materiaal, i.e. de manier waarop

    de atomen aan elkaar vastzitten. Een kristalstructuur kan worden opgebouwd uit een

    eenvoudige kubus of een parallellepipedum die wordt getransleerd in alle mogelijke

    richtingen. Het is de eenheidscel of bouwsteen van de hele structuur.

    Metallische kristalstructuren

    The Face-Centered Cubic crystal structure

    Dit is de bouwsteen van de kristalstructuur die voorkomt bij vele

    metalen, e.g. koper, aluminium, zilver en goud. De zijde met lengte a

    en de straal van een atoom R zijn gerelateerd door:

    Elk hoekatoom wordt gedeeld door acht eenheidscellen, de andere

    door slechts twee. Hieruit volgt dat een FCC vier volledige atomen

    bevat.

    Het coördinatiegetal staat voor het aantal aanliggende atomen, in

    het geval van een FCC is dit getal dus 12. De atomic packing factor APF is de som van het

    volume van alle atomen gedeeld door het volume van een eenheidscel. Voor de FCC-

    structuur is de APF 0.74, wat meteen ook de maximale waarde is die kan worden bereikt

    wanneer de eenheidscel enkel atomen met eenzelfde diameter bevat.

    The Body-Centered Cubic crystal structure

    In dit geval geldt:

    Een BCC bevat twee volledige atomen en heeft als

    coördinatiegetal 8. Omwille van dit lagere

    coördinatiegetal is de APF van een BCC lager dan die van een FCC: 0.68 vs. 0.74.

    2 2a R

    4

    3

    Ra

  • Chapter III: The structure of crystalline solids

    7

    The Hexagonal Close-Packed crystal structure

    Opvallend is dat deze kristalstructuur een hexagonale eenheidscel

    heeft. Een HCP bevat zes volledige atomen en heeft hetzelfde

    coördinatiegetal en dus ook dezelfde APF als een FCC: 12 en 0.74.

    De verhouding c/a zou 1.633 moeten zijn maar toch wijken

    sommige HCP-metalen af van deze ideale waarde.

    Density computations

    De kennis van de kristalstructuur van een solide metaal laat ons toe om zijn theoretische

    dichtheid te berekenen volgens:

    waarin:

    - n = aantal atomen binnen elke eenheidscel

    - A = atoomgewicht

    - VC = volume van de eenheidscel

    - NA = getal van Avogadro

    Polymorphism and allotropy

    Sommige materialen hebben meer dan één kristalstructuur, een fenomeen dat bekend staat

    als polymorfisme. Wanneer het voorkomt bij elementaire vaste stoffen wordt het ook wel

    allotropie genoemd. Welke kristalstructuur aanwezig is, hangt af van de temperatuur en de

    externe druk.

    Crystal systems

    Een eenheidscel wordt volledig gedefinieerd door zes parameters:

    de drie zijdelengtes a, b en c en de drie hoeken tussen de

    verschillende assen α, β en γ. Deze worden soms ook de

    kristalroosterparameters genoemd.

    Er zijn zeven mogelijke combinaties tussen de parameters die elk

    een afzonderlijk kristalsysteem voorstellen.

    C A

    nA

    V N

  • Chapter III: The structure of crystalline solids

    8

    Crystallographic points, directions and planes

    Point coordinates

    De positie van elk punt in een eenheidscel kan worden

    beschreven in termen van zijn coördinaten. In het

    algemeen worden de coördinaten gegeven door q r s,

    veelvouden van de zijdes van de eenheidscel.

    Crystallographic directions

    Een kristallografische richting is een lijn tussen twee punten, i.e. een vector. Het opstellen

    van deze vector gebeurt in vier stappen:

    1. De oorspronkelijke vector herpositioneren zodat hij door de oorsprong gaat

    2. Het bepalen van de lengte van de vectorprojecties op elk van de drie assen

    3. Deze waarden vereenvoudigen tot de kleinst mogelijke gehele waarde

    4. Deze drie indices tussen haakjes zetten, zonder komma’s: [uvw]

    Opmerkingen:

    - Voor elke as bestaan er zowel positieve als negatieve coördinaten. De negatieve

    indices worden weergegeven m.b.v. een overbar.

    - Voor sommige kristalstructuren bestaan er verscheidene niet-parallelle richtingen

    met verschillende indices die toch equivalent zijn, i.e. de plaatsing van de atomen in

    elke richting is gelijk. Equivalente richtingen worden gegroepeerd in een familie en

    aangeduid met .

    Speciaal geval: hexagonale kristallen

    Omdat bij kristallen die een hexagonale symmetrie

    hebben niet alle equivalente richtingen dezelfde

    verzameling van indices hebben, werd een nieuw

    assensysteem ingevoerd: het Miller-Bravais

    coördinaatsysteem. De richting wordt in dit systeem

    aangeduid met vier indices: [uvtw]. De overgang van het

    drie-index systeem naar het vier-index systeem gebeurt

    als volgt:

    1(2 ' ')

    3

    1(2 ' ')

    3

    ( )

    '

    u u v

    v v u

    t u v

    w w

  • Chapter III: The structure of crystalline solids

    9

    Crystallographic planes

    De oriëntaties van vlakken in een kristalstructuur worden op

    een gelijkaardige manier voorgesteld. Met uitzondering van

    die in de hexagonale structuren worden alle vlakken

    voorgesteld door drie Miller-indices (hkl). Alle parallelle

    vlakken zijn equivalent en hebben dezelfde indices. Het

    bepalen van deze indices gebeurt als volgt:

    1. Zorg ervoor dat het vlak alle assen snijdt of er

    parallel mee loopt

    2. Bepaal de planaire intercepties voor elke as in

    termen van de kristalroosterparameters a, b en c

    3. Neem vervolgens het omgekeerde van alle getallen,

    e.g. 2 wordt ½

    4. Vereenvoudig deze waarden tot de kleinst mogelijke gehele waarden

    5. Plaats deze drie indices vervolgens tussen haakjes, zonder komma’s: (hkl)

    Een familie van vlakken bevat alle vlakken die kristallografisch equivalent zijn, i.e. ze hebben

    dezelfde APF. Een familie wordt voorgesteld door {uvw}.

    Uitzondering: hexagonale kristallen

    Opnieuw wordt gebruikt gemaakt van het Miller-Bravais systeem, zodat equivalente vlakken

    ook dezelfde indices hebben. Deze conventie leidt tot een vier-index systeem: (hkil).

    Linear and planar densities

    Directionele equivalentie is gekoppeld aan de lineaire dichtheid: alle equivalente richtingen

    hebben dezelfde lineaire dichtheid. De overeenkomstige parameter m.b.t. vlakken is

    planaire dichtheid.

    Close-packed crystal structures

    Lezen p. 61-63.

    Single crystals

    Wanneer de herhaaldelijke positionering van atomen in een kristallijne stof zich uitbreidt

    doorheen het hele specimen, zonder onderbreking, spreekt men van een enkel kristal.

    ( )i h k

    aantal atomen wiens centrum op de richtingsvector ligt

    lengte van de richtingsvectorLD

    aantal atomen wiens centrum in het vlak ligt

    oppervlakte van het vlakPD

  • Chapter III: The structure of crystalline solids

    10

    Polycrystalline materials

    De meeste kristallijne stoffen zijn opgebouwd uit vele kleine kristallen of korrels. Zulke

    materialen worden polykristallijn genoemd. Er bestaan verschillende fasen in de verharding

    van polykristallijne specimens. Eerst

    ontstaan er kleine kristallen of kernen,

    met verschillende kristallografische

    oriëntaties, op verschillende plaatsen in

    de structuur. Deze kristallen worden

    steeds groter door de toevoeging van

    atomen. Dit proces gaat door tot alle

    aanliggende korrels elkaar raken. Op deze

    plaats, i.e. de korrelgrens, sluiten de

    meeste korrels slecht op elkaar aan.

    Anisotropy

    Wanneer de eigenschappen van een stof afhankelijk zijn van de richting waarin ze worden

    gemeten spreekt men van anisotroop materiaal. Dit fenomeen wordt geassocieerd met de

    verschillen in afstand tussen de atomen of ionen in bepaalde kristallografische richtingen. De

    anisotropie in een materiaal wordt groter bij dalende structurele symmetrie. Wanneer de

    korrels in een polykristallijn materiaal de voorkeur geven aan een bepaalde richting, zegt

    men dat het materiaal een bepaalde textuur bevat.

    X-Ray diffraction: determination of crystal structures

    The diffraction phenomenon

    Diffractie ontstaat wanneer een golf een reeks obstakels tegenkomt, op een regelmatige

    afstand van elkaar, die (1) capabel zijn om de golf te verstrooien en (2) op een afstand staan

    die in grootte vergelijkbaar is met de golflengte. Diffractie is een gevolg van specifieke

    faserelaties tussen twee of meer golven die door de obstakels worden verstrooid. Deze

    faserelaties zijn afhankelijk van het verschil in golflengte. Twee golven versterken elkaar

    wederzijds wanneer ze in fase zijn. Wanneer ze in tegenfase zijn, zal de resulterende golf een

    amplitude hebben die gelijk is aan nul.

    X-Ray diffraction and Bragg’s Law

    X-stralen zijn een

    vorm van elektro-

    magnetische radiatie

    met een hoge

    energie en korte

    golflengte.

  • Chapter III: The structure of crystalline solids

    11

    Beide rijen van atomen hebben dezelfde Miller-indices en worden gescheiden door de

    interplanaire afstand dhkl. We veronderstellen dat x-stralen met een golflengte λ invallen op

    deze twee vlakken onder een hoek θ. Twee stralen worden teruggekaatst door de atomen P

    en Q. Er treedt constructieve interferentie op tussen de verstrooide stralen 1’ en 2’, tevens

    onder een hoek θ, wanneer het verschil tussen de padlengte van beide golven gelijk is aan

    een geheel aantal golflengtes. Hieruit volgt Bragg’s wet:

    De afstand tussen de twee parallelle vlakken is een functie van de Miller indices en de

    kristalroosterparameters. Wanneer de kritieke hoek θc bekend is, kan zo de interplanaire

    afstand berekend worden.

    Noncrystalline solids

    2 sinhkln d

  • Chapter IV: Imperfections in solids

    12

    Chapter IV: Imperfections in solids

    Alle stoffen bevatten grote hoeveelheden defecten of imperfecties, wat inhoudt dat een

    geïdealiseerd materiaal eigenlijk niet bestaat. Vele eigenschappen van materialen zijn zeer

    gevoelig voor deze afwijkingen van de kristallijne perfectie. Toch zijn deze invloeden niet

    altijd slecht; zo worden sommige karakteristieken veel beter door het invoeren van

    gecontroleerde hoeveelheden van bepaalde defecten. De classificatie van de kristallijne

    defecten gebeurt meestal op basis van de geometrie of dimensionaliteit van het defect. We

    onderscheiden puntdefecten (geassocieerd met één of twee atomen), lineaire defecten (1D)

    en oppervlaktedefecten (2D).

    Point defects

    Vacancies and self-interstitials

    Het meest eenvoudige puntdefect is een leegte of een lege plaats in het kristalrooster waar

    normaal een atoom had moeten zitten. Het is onmogelijk om een materiaal te maken dat

    geen defecten zoals deze bevat.

    Het is noodzakelijk dat deze defecten bestaan; ze verhogen de entropie van het kristal. Het

    aantal benodigde leegtes voor een gegeven hoeveelheid materiaal Nv is afhankelijk van en

    stijgt met de temperatuur:

    N is het totale aantal atomaire plaatsen, Qv is de energie die nodig is om een leegte te

    creëren, T is de absolute temperatuur en k is de Boltzmann constant 1.38 x 10-23 J/atom-K.

    Voor de meeste metalen is de verhouding Nv/N juist onder de smelttemperatuur ongeveer

    gelijk aan 1/10 000.

    Een self-interstitial is een atoom van het kristal die in een tussenliggende ruimte

    binnengedrongen is, i.e. een kleine leegte die onder normale omstandigheden niet bezet is.

    Bij metalen zorgt een self-interstitial voor relatief grote vervormingen in het omliggende

    rooster omdat het atoom veel groter is dan de positie waarin het zich bevindt. Bijgevolg

    komt dit defect slechts weinig voor.

    exp vvQ

    N NkT

  • Chapter IV: Imperfections in solids

    13

    Impurities in solids

    Het is onmogelijk dat een zuiver metaal uit slechts één atoomsoort bestaat. Er zullen steeds

    onzuiverheden of vreemde atomen aanwezig zijn en sommigen van hen zullen bestaan als

    kristallijne puntdefecten. Toch zijn de meeste metalen legeringen, metalen waarin

    opzettelijk onzuiverheden zijn aangebracht omdat deze de mechanische sterkte en de

    weerstand tegen corrosie vergroten. Het toevoegen van deze onzuivere atomen in een

    metaal zal resulteren in de vorming van een vaste oplossing en/of een nieuwe tweede fase.

    Beiden zijn afhankelijk van het type onzuiverheden, hun concentraties en de temperatuur

    van de legering.

    Het oplosmiddel (solvent) representeert het element dat in de grootste hoeveelheid

    aanwezig is terwijl de opgeloste stof (solute) het element is dat in mindere mate wordt

    vertegenwoordigd.

    Er wordt een vaste oplossing gevormd wanneer de kristalstructuur bewaard blijft en er geen

    nieuwe structuren worden gevormd nadat beide atoomsoorten met elkaar worden

    gemengd. De onzuivere atomen bevinden zich dan op willekeurige plaatsen en zijn uniform

    verspreid doorheen de stof.

    Onzuiverheden komen voor in twee types: substitutional en interstitional. Bij substitutie

    vervangt een atoom van de opgeloste stof een atoom van het oplosmiddel. Er zijn

    verschillende eigenschappen van het oplosmiddel en de opgeloste stof die bepalen in welke

    graad de eerste in de laatste oplost:

    - Grootte van de atomen: Opdat er zich geen grote vervormingen of een nieuwe fase

    zou vormen, mag het verschil in atomaire straal tussen beide atomen niet groter zijn

    dan +/- 15%

    - Kristalstructuur: Bij metalen moet deze hetzelfde zijn willen we een aanvaardbare

    hoeveelheid kunnen oplossen

    - Elektronegativiteit: Wanneer het ene element erg elektropositief is en het andere erg

    elektronegatief is de kans dat ze een inter-metallische verbinding vormen groter dan

    dat ze een vaste oplossing zullen vormen

    - Valentie: Het zal eenvoudiger zijn om een metaal met een hogere valentie op te

    lossen in een metaal met lagere valentie

    Bij interstitional solid solutions vullen de onzuivere atomen de leegtes op tussen de

    gastatomen (host atoms). Voor metallische materialen die een vrij grote APF hebben zijn

    deze posities relatief klein. Bijgevolg moet de diameter van een interstitional veel kleiner zijn

    dan die van zijn gastatoom. In normale gevallen is de maximaal toegelaten concentratie van

    onzuivere interstitional atomen vrij laag (minder dan 10%).

  • Chapter IV: Imperfections in solids

    14

    Specification of composition

    De twee meest gebruikte manieren om de samenstelling van een legering te bepalen zijn

    massaprocent en atoompercent. De basis voor het berekenen van het atoomprocent (at%) is

    het aantal mol van een element in verhouding tot het totale aantal mol van de elementen in

    de legering. Het aantal mol wordt berekend volgens:

    Formules zie pagina 85-87.

    Dislocations – Linear defects

    Een dislocatie is een lineair defect waarrond sommige atomen op een foute manier zijn

    gepositioneerd. Wanneer een extra deel van een vlak bestaande uit atomen, i.e. een

    halfvlak, in een kristalstructuur wordt ingevoegd spreekt men van een edge dislocation. Dit

    lineair defect is gesitueerd rondom de lijn die

    zich langs het einde van het halfvlak van

    atomen uitstrekt. Deze lijn wordt ook wel de

    dislocatielijn genoemd welke voor de edge

    dislocation loodrecht staat op het vlak van de

    pagina.

    Rond deze dislocatielijn ontstaat er een lokale

    verstoring van het rooster. De atomen boven

    de lijn worden samengedrukt en die eronder

    worden uit elkaar getrokken.

    Een ander type van dislocatie is een screw

    dislocation, welke wordt gevormd door een

    schuifspanning. Het bovenste deel van het kristal zal

    één atomaire afstand opschuiven t.o.v. het onderste

    deel. Ook deze dislocatie is lineair en bevindt zich

    langs een dislocatielijn, namelijk de lijn AB.

    De meeste dislocaties in kristallijne materialen zijn

    echter een combinatie van de twee bovenstaande,

    we noemen ze mixed dislocations.

    De grootte en de richting van de verstoring van een

    kristalrooster wordt uitgedrukt in termen van een Burgers

    vector b. Bij een edge dislocation staan de Burgers vector

    en de dislocatielijn loodrecht op elkaar, bij een screw

    dislocation zijn ze parallel en bij een mixed dislocation

    tenslotte staan ze onder verschillende hoeken.

    mn

    A

  • Chapter IV: Imperfections in solids

    15

    Interfacial defects

    Dit zijn grenzen die twee dimensies hebben en in normale gevallen regio’s met verschillende

    kristalstructuren van elkaar scheiden.

    External surfaces

    Een van de meest logische grenzen is het externe oppervlak, waarlangs de kristalstructuur

    eindigt. De oppervlakteatomen zijn niet gebonden aan het maximale aantal dichtste buren

    en bevinden zich daardoor in een hogere energietoestand dan de atomen binnenin de

    structuur. Deze verbindingen waaraan niet wordt voldaan zorgen voor een oppervlakte-

    energie. Om deze energie zo laag mogelijk te houden proberen materialen hun oppervlak te

    minimaliseren (bolvormige druppels).

    Grain boundaries

    De korrelgrens scheidt twee verschillende korrels of

    kristallen met een verschillende kristallografische

    oriëntatie. Binnen de grensregio sluiten de

    aanliggende korrels niet goed op elkaar aan.

    Wanneer het verschil in oriëntatie slechts een

    aantal graden is, spreekt men van small-angle grain

    boundary. De atomen langs een korrelgrens zijn

    minder regelmatig gebonden en als gevolg hiervan

    ontstaat er een soort korrelgrensenergie. De

    grootte van deze energie is in functie van de graad

    van misoriëntatie. Door deze grensenergie worden de korrelgrenzen chemisch reactiever

    dan de korrels zelf. Daarnaast zullen onzuivere atomen voornamelijk langs deze grenzen

    segregeren omwille van de hogere energietoestand. Bij stijgende temperaturen zullen de

    korrels groeien en bijgevolg zal de grensenergie afnemen.

    Twin boundaries

    Dit is een speciaal type van korrelgrens waarlangs er een specifiek gespiegelde en

    symmetrische kristalstructuur bestaat. De regio van materiaal tussen deze grenzen wordt

    twin genoemd. Twins komen voort uit atomaire verschuivingen die worden veroorzaakt door

    opgelegde mechanische schuifkrachten.

    Andere mogelijke interfacial defects omvatten stapelfouten (doorbreken van de

    ABCABCABC… structuur in FCC-metalen), fasegrenzen (in materialen die uit meerdere fasen

    bestaan) en ferromagnetische domeinmuren (scheidt regio’s met verschillende richtingen

    van magnetisatie).

  • Chapter IV: Imperfections in solids

    16

    Microscopic examination

    De microstructuur wordt bepaald door ondermeer de korrelgrootte en de vorm ervan.

    Wanneer deze structuur moet worden onderzocht maakt men meestal gebruik van optische,

    elektronen en scanning probe microscopen. De foto waarop de afbeelding van een

    microscopisch beeld wordt vastgelegd noemen we een microfoto.

    Optical microscopy

    Hierbij wordt een lichtmicroscoop gebruikt om de microstructuur te bestuderen. Zijn

    basiscomponenten zijn optische -en verlichtingssystemen. Bij materialen die het licht niet

    doorlaten wordt enkel het oppervlak bestudeerd. De lichtmicroscoop wordt dan in

    reflectiemode geplaatst. Onderzoeken van dit soort type worden vaak metallografisch

    genoemd.

    Vooreerst moet het oppervlak worden klaargemaakt zodat het belangrijke details m.b.t. de

    microstructuur laat zien. Het oppervlak wordt glanzend gemaakt door het te polijsten (m.b.v.

    fijn schuurpapier en bepaalde poeders). Vervolgens past men een oppervlaktebehandeling

    toe die gebruik maakt van een passende chemische reagens (etching) waardoor de

    microstructuur zichtbaar wordt. De chemische reactiviteit van korrels in sommige materialen

    met een enkele fase zijn afhankelijk van hun kristallografische oriëntatie. Hieruit volgt dat

    ook in polykristallijne materialen de etching-karakteristieken zullen variëren van korrel tot

    korrel.

    De korrelgrenzen gaan over in smalle groeven als gevolg van het etching-proces, waardoor

    ze beter zichtbaar worden; ze reflecteren het licht onder een volledig andere hoek dan de

    korrels zelf. Dit komt omdat de atomen die langs de korrelgrens liggen chemisch actiever zijn

    en daarom vlugger zullen oplossen dan de atomen in de korrels.

    Electron microscopy

    De grootst mogelijke uitvergroting bij een optische microscoop is ongeveer 2000 keer.

    Omdat dit in sommige gevallen niet genoeg is, maakt men soms gebruik van een

    elektronenmicroscoop. Een afbeelding van de structuur wordt in dit geval gevormd door

    gebruik te maken van elektronenbundels. Er bestaan twee soorten microscopen van dit

    type: de Transmission Electron Microscope (TEM) en de Scanning Electron Microscope (SEM).

    Grain size determination

    Er bestaat een bepaalde methode om de korrelgrootte te bepalen. Eerst worden lijnen met

    dezelfde lengte door verscheidene microfoto’s getrokken. Vervolgens telt men de

    verschillende korrels die door elk lijnsegment worden gesneden. Dan wordt de lijnlengte

    gedeeld door het gemiddelde aantal korrels. Tenslotte deelt men de gemiddelde

    korreldiameter door de lineaire uitvergroting van de microfoto’s. 12nN , waarbij n gelijk is

    aan het korrelnummer en N het gemiddelde aantal korrels per vierkante inch (100x – ASTM).

  • Chapter V: Diffusion

    17

    Chapter V: Diffusion

    Diffusie is het fenomeen van

    materiaaltransport door atomaire beweging.

    Beschouw het diffusiekoppel dat gevormd is

    door twee verschillende materialen dicht bij

    elkaar te brengen (ze raken elkaar). Dit koppel

    wordt vervolgens opgewarmd voor een

    bepaalde periode en daarna weer afgekoeld

    tot kamertemperatuur. Wanneer men op dit punt opnieuw naar de structuur van het koppel

    kijkt, zal men zien dat er in het midden een regio van legering is gekomen. Dit geeft aan dat

    de ene atomen gemigreerd of gediffundeerd zijn in de andere. Dit proces wordt interdiffusie

    of onzuiverheidsdiffusie genoemd. Diffusie is ook aanwezig in pure metalen, maar dit is

    moeilijker te zien omdat alle atomen die van positie wisselen van hetzelfde type zijn. Dit

    fenomeen noemt men zelfdiffusie.

    Diffusion mechanisms

    Vanuit een atomair perspectief is diffusie enkel de stapsgewijze migratie van atomen van het

    ene rooster naar het andere. Eigenlijk zijn de atomen in solide materialen in constante

    beweging en verwisselen ze voortduren van positie. Voor deze beweging zijn twee condities

    nodig: (1) er moet een lege plaats zijn naast het atoom en (2) het atoom moet voldoende

    energie bezitten om de verbindingen met zijn naburige atomen te breken en een vervorming

    in het rooster te veroorzaken tijdens zijn verplaatsing. Bij een bepaalde temperatuur is een

    klein gedeelte van de atomen in staat om deze diffusiebeweging uit te voeren, d.m.v. de

    grootte van hun vibratie-energie.

    Vacancy diffusion

    Hierbij verschuift een atoom van een

    normale roosterpositie naar een

    aanliggende lege plaats.

    Interstitial diffusion

    In dit geval van diffusie verschuift een

    interstitial atoom naar een naburige

    positie die nog vrij is. In de meeste

    metaallegeringen gebeurt dit type

    diffusie aanzienlijk sneller dan vacancy

    diffusion. Dit komt (1) omdat de

    interstitial atoms veel kleiner en dus

    mobieler zijn en (2) er meer interstitial posities zijn dan leegtes.

  • Chapter V: Diffusion

    18

    Steady-state diffusion

    Het diffusieproces is tijdsafhankelijk en daarom is het handig om te weten hoe snel de

    diffusie verloopt. De grootte van de massatransfer wordt weergegeven als de diffusieflux J:

    Waarbij A gelijk is aan de oppervlakte waardoor de stof diffundeert en t gelijk is aan de

    verstreken diffusietijd. De eenheid van J is kg/m²-s.

    Wanneer de diffusieflux niet verandert met de tijd

    bestaat er een steady-state conditie. We kunnen de

    concentratie C plotten versus de afstand x in de stof

    waardoor een curve ontstaat die men het

    concentratieprofiel noemt. De helling op een bepaald

    in deze grafiek is de concentratiegradiënt dC

    dx .

    Wanneer het concentratieprofiel lineair is kunnen we zeggen dat: 1 2

    1 2

    C CdC C

    dx x x x

    . Bij

    de steady-state diffusie in een enkele x-richting geldt dat: dC

    J Ddx

    , waarbij D de

    diffusiecoëfficiënt is (m²/s). Deze laatste vergelijking wordt ook wel Fick’s eerste wet

    genoemd. Wanneer diffusie plaatsvindt volgens deze wet is D de drijvende kracht die ervoor

    zorgt dat er een reactie is.

    Non-steady state diffusion

    Bij dit type diffusie zal de diffusieflux en de

    concentratiegradiënt op een bepaald punt in

    een stof variëren met de tijd. In dit geval

    maken we gebruik van Fick’s tweede wet:

    Wanneer de diffusiecoëfficiënt onafhankelijk is van de samenstelling geldt: 2

    2

    C CD

    t x

    .

    Een belangrijke oplossing van deze differentiaalvergelijking is die voor een semi-oneindige

    stof waarin de oppervlakteconcentraties constant worden gehouden. Meestal is de bron van

    diffunderende stoffen een gasfase, waarbij de gedeeltelijke druk constant wordt gehouden.

    Verder worden de volgende veronderstellingen gemaakt:

    1M dMJ

    At A dt

    C CD

    t x x

  • Chapter V: Diffusion

    19

    1. Voor de diffusie zijn alle diffunderende atomen van de opgeloste stof uniform

    verdeeld met concentratie C0

    2. De waarde van x is nul aan het oppervlak en wordt groter naar de binnenkant van de

    stof toe

    3. Het tijdstip waarop de diffusie begint wordt aangeduid met t = 0

    Dus:

    - Wanneer t = 0, C = C0 bij 0 ≤ x ≤ ∞

    - Wanneer t > 0, C = Cs (de constante oppervlakteconcentratie) bij x = 0 EN C = C0 bij

    x = ∞

    Deze grenzen brengen ons tot de oplossing: 0

    0

    12

    x

    S

    C C xerf

    C C Dt

    .

    Factors that influence diffusion

    Diffusing species

    De diffunderende stof, alsook het gastmateriaal, beïnvloedt de diffusiecoëfficiënt.

    Temperature

    Temperatuur heeft een grote invloed op de coëfficiënten en daarmee ook op de

    diffusiesnelheid. De diffusiecoëfficiënt verandert als volgt met de temperatuur:

    Waarbij D0 een temperatuursafhankelijke pre-exponent is (m²/s), Qd de activatie-energie

    voor diffusie (J/mol), R de gasconstante (8.31 J/mol-K) en T de absolute temperatuur. De

    activatie-energie kan worden gezien als de energie die nodig is om de diffunderende

    beweging van een mol atomen te produceren.

    Dit is de grafiek van de functie log D

    versus 1/T voor verschillende

    materialen. Deze grafieken hebben een

    helling van 2.3

    dQ

    R en ze snijden de as

    bij 0D .

    Opm.: Migratie van atomen kan

    ook gebeuren via dislocaties,

    korrelgrenzen en externe

    oppervlakken: short-circuit

    diffusion paths.

    0 expdQD D

    RT

  • Chapter VII: Dislocations and strengthening mechanisms

    20

    Chapter VII: Dislocations and strengthening mechanisms

    Plastische vervorming komt overeen met de beweging van grote aantallen atomen als

    respons op een bepaalde spanning. In kristallijne stoffen zorgt plastische deformatie meestal

    voor de beweging van dislocaties.

    Dislocations and plastic deformation

    Basic concepts

    Edge en screw zijn de

    twee fundamentele

    dislocatietypes. Een

    edge dislocatie

    verschuift wanneer

    er een schuifspanning

    wordt opgelegd die

    loodrecht staat op

    zijn dislocatielijn.

    Vlak A is in staat om te verschuiven door het herhaaldelijk breken van verbindingen

    waardoor hij steeds één interatomaire afstand opschuift. Zowel voor als na de beweging van

    een dislocatie doorheen een bepaalde regio in het kristal is de atomaire orde perfect; het is

    enkel tijdens de verschuiving zelf dat de roosterstructuur wordt verstoord. Uiteindelijk zal

    het extra halfvlak tevoorschijn komen aan het rechteroppervlak van het kristal en zo een

    rand vormen die één atomaire afstand breed is. Het proces waarbij plastische deformatie

    opduikt door de beweging van dislocaties noemen we slip; het kristallografische vlak

    waarlangs de dislocatielijn verschuift

    noemt men het slipvlak.

    De bewegingsrichting staat hier

    loodrecht op de spanningsrichting. De

    netto plastische vervorming is bij beide

    dislocatietypes gelijk.

    Het aantal dislocaties, of de

    dislocatiedichtheid in een materiaal,

    wordt uitgedrukt als de totale

    dislocatielengte per volume-eenheid.

    Warmtebehandeling van een vervormd

    metaalspecimen kan ervoor zorgen dat

    deze dichtheid kleiner wordt.

  • Chapter VII: Dislocations and strengthening mechanisms

    21

    Characteristics of dislocations

    Wanneer materialen plastisch worden vervormd wordt slechts een klein gedeelte (+/- 5%)

    van de deformatie-energie intern opgeslagen. Het grootste gedeelte van deze energie komt

    voor onder de vorm van rek-energie en wordt geassocieerd met dislocaties.

    Als gevolg van een edge dislocatie zijn er regio’s waarin

    druk, trek en schuif lattice strains worden uitgeoefend

    op de nabijgelegen atomen. De atomen boven de

    dislocatielijn zullen een negatieve rek ondervinden t.o.v.

    de atomen in het kristalrooster die zich ver van de

    dislocatielijn bevinden. Bij een screw dislocatie zijn de

    rekken enkel puur schuif. Deze verstoringen van het

    kristalrooster kunnen worden gezien als

    rekvelden die uitgaan van de dislocatielijn. Hun

    grootte neemt af met toenemende radiale

    afstand van de dislocatie.

    De rekvelden rondom aanliggende dislocaties

    kunnen op elkaar inwerken. (a) De interactie

    tussen beide velden is zo dat er een wederzijdse

    afstootkracht ontstaat die de dislocaties verder

    van elkaar wegduwt. (b) Twee dislocaties die in

    hetzelfde slipvlak liggen maar een tegengesteld

    teken hebben zullen elkaar aantrekken, waardoor de dislocatie verdwijnt wanneer ze elkaar

    tegenkomen. De twee halfvlakken zullen op dezelfde lijn komen te liggen en zo een

    compleet vlak vormen.

    Slip systems

    Dislocaties zullen niet in alle kristallografische richtingen en vlakken even gemakkelijk

    verschuiven. Meestal is er een bepaald vlak die een voorkeur krijgt; het slipvlak. De

    bewegingsrichting van de dislocaties in dit

    vlak wordt de sliprichting genoemd. De

    combinatie van het slipvlak en de sliprichting

    kreeg de naam slipsysteem. Dit systeem is

    afhankelijk van de kristalstructuur en is

    zodanig dat de atomaire verstoring die

    gepaard gaat met de beweging van dislocaties

    minimaal is. Voor een bepaalde kristalstructuur zal het slipvlak datgene zijn met de grootste

    PD en de sliprichting zal overeenkomen met de richting met de grootste LD. Voor een FCC,

    bijvoorbeeld, komen het slipvlak en de sliprichting overeen met {111}, i.e. het

    slipsysteem. Metalen met een BCC of FCC structuur hebben een relatief groot aantal

  • Chapter VII: Dislocations and strengthening mechanisms

    22

    slipsystemen (minimum 12) en zijn als gevolg daarvan ductiel: plastische vervorming is

    mogelijk langs elk van de afzonderlijke systemen. De HCP-metalen daarentegen hebben

    slechts enkele slipsystemen en zijn daarom vaak bros. De richting van de Burgers vector

    komt steeds overeen met de sliprichting en zijn grootte is gelijk aan de interatomaire afstand

    in diezelfde richting (zie p181).

    Slip in single crystals

    Zelfs wanneer een opgelegde spanning puur trek of druk is, bestaan er schuifcomponenten

    in alle richtingen die niet parallel lopen met, of loodrecht staan op, de spanningsrichting.

    Deze spanningen noemt men resolved shear stresses en hun grootte is niet enkel afhankelijk

    van de opgelegde spanning maar ook van de oriëntatie van zowel het slipvlak als de richting

    binnen dat vlak. We stellen φ voor als de hoek tussen de normaal van het slipvlak en de

    spanningsrichting en λ als de hoek tussen de slip – en spanningsrichtingen. Hieruit volgt dat

    de resolved shear stress τr gelijk is aan: cos cosr .

    Een enkel metaalkristal heeft een aantal verschillende slipsystemen die werkzaam kunnen

    zijn. Elk van hen bezit een verschillende resolved shear stress omdat de oriëntatie van elk

    systeem t.o.v. de spanningsas verschillend is. Toch is er steeds één slipsysteem die de beste

    oriëntatie heeft, i.e. de grootste resolved shear stress: max

    (max) cos cosR . Als

    antwoord op een opgelegde spanning ontstaat er slip in het best georiënteerde slipsysteem

    wanneer de resolved shear stress een bepaalde kritieke waarde bereikt, die we de critical

    resolved shear stress τcrss noemen. Deze waarde stelt de minimale schuifspanning voor die

    nodig is om slip te starten en het is een eigenschap van het materiaal dat het punt bepaalt

    waarop vloeien voorkomt. Het enkele kristal begint plastisch te deformeren wanneer

    τR(max) = τcrss en de grootte van de spanning waarbij dit gebeurt is dan: max(cos cos )

    crssy

    De minimale spanning die nodig is om het materiaal plastisch te deformeren komt voor

    wanneer een enkel kristal zo georiënteerd is dat φ = λ = 45°; hierbij geldt dan: 2y crss .

    Slip zal voorkomen in meerdere equivalente vlakken, langsheen de volledige lengte van het

    specimen. Bij FCC en BCC metalen zal slip uiteindelijk voorkomen langs meer dan één

    slipsysteem. Wanneer bij HCP-kristallen de spanningsas loodrecht of parallel is met het

    slipvlak zal de critical resolved shear stress nul zijn. Het kristal zal dan gewoonlijk breken in

    plaats van plastisch te deformeren.

    Plastic deformation of polycrystalline materials

    Door de willekeurige kristallografische oriëntaties van de verschillende korrels zal de

    sliprichting variëren binnen elke korrel. Voor elke afzonderlijke korrel zal de beweging van de

    dislocatie gebeuren langs het slipsysteem met de beste oriëntatie. Er zullen dus grotere

    spanningen nodig zijn om slip te laten ontstaan in elk van de korrels. Dit zorgt ervoor dat

    poykristallijne materialen sterker zijn dan hun enkelkristallijne tegenhangers.

  • Chapter VII: Dislocations and strengthening mechanisms

    23

    Gedurende de vervorming zal de mechanische integriteit en coherentie tussen de individuele

    korrels behouden blijven, i.e. de korrelgrenzen zullen niet groter worden. 1

    Mechanisms of strengthening in metals

    De hardheid en sterkte van een materiaal zijn gerelateerd aan het gemak waarmee

    plastische vervorming zal voorkomen. Door de mobiliteit van de dislocaties te verkleinen zal

    de mechanische sterkte groter worden. Bijna alle versterkingstechnieken maken gebruik van

    voornoemd principe.

    Strengthening by grain size reduction

    Aanliggende korrels hebben meestal een verschillende kristallografische oriëntatie maar

    uiteraard een gemeenschappelijke korrelgrens. Opdat plastische deformatie zou kunnen

    voorkomen moet de slip natuurlijk deze korrelgrens kunnen overschrijden. Toch is deze

    korrelgrens een soort barrière voor de beweging van dislocaties:

    - Door de verschillende oriëntaties zal een dislocatie die de grens oversteekt zijn

    bewegingsrichting moeten aanpassen; hoe groter het verschil in oriëntatie, hoe

    moeilijker dit wordt

    - De atomaire wanorde binnen een korrelgrens zal leiden tot ongelijke slipvlakken van

    de ene korrel naar de andere toe

    Bij high-angle grain boundaries kan het zijn dat de dislocaties de grens niet oversteken maar

    net ervoor ophopen. Deze ophopingen veroorzaken spanningen die hun slipvlak voorafgaan

    en die ervoor kunnen zorgen dat er nieuwe dislocaties ontstaan in aanliggende korrels.

    Small-angle grain boundaries daarentegen zullen het slipproces nauwelijks tegengaan. Twin

    boundaries tenslotte zijn een effectieve blokkade voor het slipproces en zullen de sterkte

    van het materiaal enorm laten toenemen.

    Een fijnkorrelig materiaal is harder en sterker dan een grofkorrelig. Dit komt omdat fijne

    korrels een grotere korrelgrensoppervlakte hebben die de beweging van dislocaties kan

    tegengaan. Voor vele materialen varieert de vloeisterkte σy met de korrelgrootte volgens: 1/2

    0y yk d . Deze vergelijking wordt ook wel de Hall-Petch vergelijking genoemd. D is

    de gemiddelde korreldiameter en σ0 en ky zijn constanten voor een specifiek materiaal.

    Opm.: deze vergelijking is niet geldig voor zeer grove of zeer fijnkorrelige polykristallijne

    materialen.

    De korrelgrootte kan worden gereguleerd door de snelheid waarmee de uitharding gebeurt

    of door plastische deformatie die wordt gevolgd door een toepasselijke warmtebehandeling.

    1 Deformation by twinning p185-188 niet gezien in de les.

  • Chapter VII: Dislocations and strengthening mechanisms

    24

    Solid solution strengthening

    Omdat metalen met een hoge zuiverheidsgraad vrijwel altijd zachter en zwakker zijn dan

    hun legeringen, zal men de metalen legeren met onzuivere atomen. Legeringen zijn sterker

    omdat de onzuivere atomen gewoonlijk rekvelden veroorzaken die interacties zullen

    vertonen met de rekvelden van de dislocaties, waardoor de beweging ervan wordt

    tegengehouden.

    De meeste atomen van een opgeloste stof zullen diffunderen in de omgeving van dislocaties

    om zo de rekenergie te verkleinen, i.e. de atomen moeten gedeeltelijk de rek in het

    kristalrooster rondom een dislocatie opheffen. Om dit te bereiken wordt een kleiner

    onzuiver atoom daar geplaatst waar zijn tensile strain gedeeltelijk de drukrek van de

    dislocatie zal opheffen. De weerstand tegen slip wordt dus groter omdat er meer spanning in

    de structuur zal moeten worden gebracht eer de rek voldoende hoog is om slip te

    veroorzaken.

    Strain hardening

    Dit is het fenomeen waarbij een ductiel materiaal sterker

    en harder wordt nadat het plastisch werd vervormd. Dit

    wordt ook wel cold work of work hardening genoemd

    omdat de meeste metalen strain hardenen bij

    kamertemperatuur. Meestal wordt de graad van plastische

    deformatie uitgedrukt in percent cold work:

    De uitleg voor dit fenomeen is vrij eenvoudig. De dislocatiedichtheid in een metaal wordt

    groter als gevolg van cold work en bijgevolg verkleint de gemiddelde afstand tussen de

    bestaande dislocaties. Doordat de interacties tussen hun rekvelden er meestal voor zorgen

    dat de dislocaties elkaar afstoten, wordt ook hun beweging in zekere mate verhinderd. Hoe

    groter de dislocatiedichtheid hoe meer dit effect invloed heeft op hun bewegingen. Het is

    dus logisch dat de benodigde spanning om een materiaal te vervormen groter wordt

    wanneer het percentage CW toeneemt.

    Recovery, recrystallization and grain growth

    Recovery

    Tijdens recovery wordt een gedeelte van de opgeslagen interne rekenergie vrijgelaten door

    de beweging van dislocaties (er mag geen externe spanning aanwezig zijn), als resultaat van

    een verhoogde atoomdiffusie bij hogere temperaturen. Het aantal dislocaties wordt kleiner

    en de rekenergie van de blijvende dislocatieconfiguraties wordt kleiner. Bovendien worden

    0

    0

    % 100dA A

    CW xA

  • Chapter VII: Dislocations and strengthening mechanisms

    25

    eigenschappen zoals thermische en elektrische geleiding herstelt tot hun precold-worked

    waarden.

    Recrystallization

    Zelfs nadat de recovery is afgerond bevinden de korrels zich nog steeds in vrij hoge

    rekenergietoestanden. Rekristallisatie bestaat uit de vorming van een nieuwe verzameling

    ongerekte korrels (die ongeveer dezelfde dimensies hebben in alle richtingen) met lage

    dislocatiedichtheden en karakteristieken die gelijk zijn aan die van de precold-worked

    condities. De drijvende kracht die deze nieuwe korrelstructuur produceert is het verschil in

    interne energie tussen het uitgerekte en ongerekte materiaal. De nieuwe kleine korrels

    zullen met behulp van diffusie in de plaats van het oudere materiaal gaan zitten.

    Rekristallisate is een proces dat afhankelijk is van zowel tijd als temperatuur. De graad van

    rekristallisatie neemt toe met de tijd. Het

    rekristallisatiegedrag van een bepaalde

    metaallegering wordt soms gespecificeerd in termen

    van een rekristallisatietemperatuur, de

    temperatuur waarbij de rekristallisatie net wordt

    voltooid in één uur. Normaal ligt deze temperatuur

    tussen 1/3 en ½ van de smelttemperatuur en is hij

    afhankelijk van factoren zoals de hoeveelheid

    voorafgaand cold work en de zuiverheid van de

    legering. Wanneer het percentage CW groter wordt

    wordt ook de snelheid van de rekristallisatie groter,

    met als gevolg dat de temperatuur kleiner wordt en

    een constante waarde (limiet) bereikt bij grote

    vervormingen. Er bestaat een kritieke graad van CW waaronder rekristallisatie niet kan

    worden toegepast die meestal ligt tussen de 2-20% CW. Rekristallisatie verloopt sneller in

    zuivere metalen dan in legeringen. Ook verschuiven de korrelgrenzen als gevolg van de

    vorming van nieuwe korrels die groeien. Onzuivere atomen zullen diffunderen binnen deze

    gerekristalliseerde korrelgrenzen en zo hun mobiliteit verlagen, waardoor de

    rekristallisatietemperatuur groter wordt.

    Grain growth

    Wanneer de rekristallisatie is voltooid zullen de rekvrije korrels doorgroeien zolang het

    metaal onder een hoge temperatuur wordt gehouden. Dit fenomeen noemen we

    korrelgroei. Wanneer de korrels groter worden verkleint de totale oppervlakte van de

    korrelgrenzen waardoor hun totale energie kleiner wordt; dit is de drijvende kracht achter

    korrelgroei. Grote korrels zullen groeien terwijl kleinere korrels krimpen. Voor vele

    polykristallijne materialen varieert de korreldiameter d met de tijd t volgens 0n nd d Kt , K

    en n zijn constanten.

  • Chapter VIII: Failure

    26

    Chapter VIII: Failure

    Fundamentals of fracture

    Wanneer een materiaal wordt onderworpen aan een uniaxiale trekbelasting zijn er twee

    breuktypes mogelijk: ductiel en bros. Ductiele materialen kunnen grote hoeveelheden

    energie absorberen alvorens stuk te gaan. Broze materialen daarentegen zullen weinig tot

    niet plastisch deformeren en dus ook weinig energie opslaan.

    Elk breukproces bestaat uit twee stappen: eerst ontstaan er scheuren die nadien groter

    zullen worden. Bij ductiele breuk zal het gebied rond de groeiende scheur aanzienlijk

    plastisch deformeren. Alle scheuren in ductiele materialen zijn stabiel. Een scheur wordt

    stabiel genoemd wanneer ze op een bepaald moment niet meer zal groeien, tenzij de

    belasting wordt verhoogd. Bij broze breuk daarentegen, zijn de scheuren onstabiel: ze zullen

    enorm vlug groter worden en nauwelijks plastisch vervormen.

    Ductile fracture

    Zeer zachte materialen, zoals zuiver goud en lood,

    zullen bij kamertemperatuur breken zoals in de

    eerste configuratie. Ze zullen rondom een bepaald

    punt steeds smaller worden tot er een puntbreuk

    ontstaat, waarbij de oppervlakte ongeveer 100%

    kleiner is geworden. De meeste materialen zullen

    echter falen zoals in configuratie twee, waarbij de

    breuk slechts wordt voorafgegaan door een gemiddelde oppervlaktereductie.

    Het breukproces gebeurt in verschillende fasen. Eerst zal het materiaal contractie vertonen,

    waarna er kleine gaatjes ontstaan binnen de dwarsdoorsnede. Vervolgens, wanneer de

    vervorming groter wordt, zullen deze gaatjes groter worden en

    samenkomen om zo een elliptische scheur te vormen. Deze scheur

    zal groter worden in de richting van zijn lange as. Tenslotte zal breuk

    ontstaan door de snelle groei van de scheur aan de buitenkant van

    de nek. Dit zal gebeuren door schuifdeformatie onder een hoek van

    ongeveer 45° (grootste schuifspanning). Dit type breuk wordt ook

    wel een cup-and-cone fracture genoemd.

  • Chapter VIII: Failure

    27

    Wanneer de vezelachtige centrale regio van zulke breuk wordt onderzocht met behulp van

    een microscoop, zullen grote aantallen sferische kuiltjes worden gevonden, die

    karakteristiek zijn aan een uniaxiale trekbreuk. Elk kuiltje heeft de grootte van een half

    gaatje, dat eerder werd gevormd.

    Brittle fracture

    Dit type breuk komt overeen met de derde configuratie, waarbij het breukoppervlak zo goed

    als vlak is.2 Bij de meeste broze kristallijne materialen

    komt scheurgroei overeen met het herhaaldelijk breken

    van atomaire verbindingen langsheen specifieke

    kristallografische vlakken. Dit proces noemen we

    cleavage. Dit breuktype wordt ook wel transgranulair

    genoemd, omdat de scheuren doorheen de verschillende

    korrels lopen. Het breukoppervlak zal er dan korrelig

    uitzien, als gevolg van de verschillende oriëntaties van de

    cleavage-vlakken.

    In sommige legeringen ontstaat de scheurgroei niet doorheen de korrels, maar langsheen

    hun grenzen; dit noemt men intergranulaire breuk.

    Principles of fracture mechanics

    Stress concentration

    De gemeten breuksterktes voor de meeste broze materialen

    zijn opvallend kleiner dan die uit de theoretische

    berekeningen. Dit kan worden verklaard door de

    aanwezigheid van zeer kleine defecten, i.e. scheuren, die

    onder normale omstandigheden aanwezig zijn aan zowel het

    oppervlak als binnenin het materiaal. Deze scheurtjes zijn

    nadelig voor de breuksterkte omdat een opgelegde spanning

    kan worden geconcentreerd aan de tip ervan. Zoals

    aangegeven in de figuur wordt het effect van deze

    spanningsconcentratie kleiner met de afstand die men van

    de scheurtip verwijderd is. Omwille van deze redenen

    worden scheurtjes soms spanningsverhogers genoemd. De

    spanningsconcentratiefactor Kt wordt gedefinieerd als: 1 2peak

    t

    nom

    aK

    b

    (elliptische

    scheuren). Deze parameter is een maat voor de graad waarmee een externe spanning wordt

    vergroot rond de scheurtip. Het effect van een spanningsverhoger is veel groter in broze dan

    in ductiele materialen. Dit komt omdat er bij ductiele materialen plastische vervorming

    2 Microscopie van de broze breuktypes p211 niet gezien in de les.

  • Chapter VIII: Failure

    28

    optreedt wanneer de spanning te groot wordt, waardoor deze uniformer zal worden

    verdeeld in de nabijheid van het defect. Als gevolg hiervan wordt Kt kleiner.

    Fracture toughness

    Er is een uitdrukking ontwikkeld die de kritische spanning waarbij scheurgroei ontstaat σc en

    de scheurlengte a aan elkaar relateert: c cK Y a . Kc stelt de breuktaaiheid/ fracture

    toughness voor, een eigenschap die de weerstand van het materiaal tegen broze breuk (in

    de aanwezigheid van een scheur) voorstelt. Y is dimensieloos en afhankelijk van de grootte

    van de scheur, het specimen en het belastingstype. Bij planaire specimens waarvan de

    scheur veel kleiner is dan de breedte, is Y ongeveer gelijk aan één. Zolang de dikte van het

    specimen vele malen groter is dan de afmetingen van de scheur, zal Kc er onafhankelijk van

    zijn. Onder deze condities spreekt men van een plane strain conditie. Dit betekent dat er

    geen rekcomponent is in de richtingen

    die loodrecht staan op de voor –en

    achterkant van het specimen. De Kc

    waarde die met deze dikke-specimen

    situatie overeenkomt noemen we de

    plane strain fracture toughness KIc. KIc

    is de breuktaaiheid die voorkomt in de

    meeste situaties. Het I-subscript

    betekent dat de waarde van K staat

    voor een type-I scheurbelasting. De KIc –

    waarden zijn laag voor broze materialen en vrij hoog voor ductiele.

    Design using fracture mechanics

    Wanneer men gaat ontwerpen moet rekening worden gehouden met drie variabelen: Kc, σ

    en a. Wanneer twee parameters zijn beschreven, volgt de derde automatisch uit de

    bovenstaande vergelijking. Zo krijgen we bijvoorbeeld de volgende formules voor kritische

    spanning en de maximaal toegelaten scheurgrootte:

    Opm.: deze theorie is enkel geldig voor materialen die lineair-elastisch zijn tot op het

    ogenblik dat breuk voorkomt en wanneer de scheurgroei loodrecht staat op de belasting.3

    3 Impact fracture testing (Charpy & Izod tests) p223-225 niet gezien in les.

    Icc

    K

    Y a

    21 Ic

    c

    Ka

    Y

  • Chapter VIII: Failure

    29

    Ductile-to-brittle transition

    Deze overgang is gerelateerd aan de temperatuurafhankelijkheid van de gemeten absorptie

    van impactenergie. Het uitzicht van het breukoppervlak is eigen aan het breuktype en kan

    worden gebruikt in het bepalen van de transitietemperatuur.

    Bij de meeste legeringen bestaat er een temperatuursbereik waarover de overgang

    plaatsvindt. Dit zorgt ervoor dat het moeilijk is om een specifieke overgangstemperatuur

    vast te leggen. Daarom wordt deze temperatuur meestal gedefinieerd als die waarop de

    CVN-energie4 een bepaalde waarde bereikt of waarbij het breukoppervlak een bepaalde

    configuratie heeft (e.g. 50% vezels). Legeringen die dit overgangsgedrag bezitten mogen

    enkel worden gebruikt bij temperaturen die hoger zijn dan de transitietemperatuur.

    Er zijn ook materialen die deze overgang niet

    kennen, zoals FCC-metalen met een lage

    sterkte en de meeste HCP-metalen. Ook

    materialen met een hoge sterkte kennen

    deze overgang niet, maar zij hebben wel een

    lagere impactenergie. Het overgangsgedrag

    blijkt dus eigen te zijn aan materialen met

    een BCC-kristalstructuur.

    Fatigue

    Vermoeiing is een vorm van breuk die voorkomt in structuren die onderhevig zijn aan

    dynamische en fluctuerende spanningen. Onder deze omstandigheden is het mogelijk dat

    breuk voorkomt bij spanningen die vele malen lager liggen dan de trek – of vloeisterkte voor

    statische belastingen. De term vermoeiing wordt gebruikt omdat dit breuktype voorkomt na

    een lange periode van herhaalde belastingscycli. Ongeveer 90% van alle metallische breuken

    zijn te wijten aan vermoeiing. Breuk door vermoeiing is steeds bros, ook bij ductiele

    materialen.

    Cyclic stresses

    Er zijn drie mogelijke spanning-tijd curves. De eerste

    is sinusoïdaal met een amplitude die symmetrisch is

    rond de x-as en fluctueert tussen σmax en σmin. Dit

    type wordt ook wel de reversed stress cycle

    genoemd (a). In de repeated stress cycle zijn de

    maxima en minima asymmetrisch t.o.v. de x-as (b).

    Tenslotte kan het spanningsniveau ook willekeurig

    4 Charpy V-notch

  • Chapter VIII: Failure

    30

    variëren in amplitude en frequentie (c). De spanning alterneert rondom een gemiddelde

    spanning σm: max min

    2m

    . Het spanningsbereik σr wordt gedefinieerd als:

    max minr . De spanningsamplitude σm is de helft van deze waarde. Het spanningsratio

    R tenslotte, is de verhouding van de minimale en maximale spanningsamplitudes: min

    max

    R

    .

    The S-N curve

    Dit is een schematische weergave van

    een roterend buigtestapparaat dat

    veel gebruikt wordt voor het testen

    van vermoeiing. Het specimen wordt

    tegelijkertijd op zowel trek, druk,

    buiging en torsie belast. De spanningscyclus verandert met de tijd.

    Men begint met een test waarbij het specimen onder een redelijke hoge

    spanningsamplitude wordt geplaatst (i.e. 2/3 van de statische treksterkte). Daarbij telt men

    het aantal cycli tot breuk zich voordoet. Deze test wordt herhaald met andere specimens en

    telkens met een lagere maximale spanningsamplitude. De gegevens worden geplot volgens

    spanning S vs. het aantal cycli N tot breuk. De waarden van S zijn meestal de

    spanningsamplitudes. Uit deze grafiek blijkt

    dat hoe groter de spanning, hoe kleiner het

    aantal cycli. Er zijn twee S-N curven mogelijk.

    Voor sommige materialen wordt de S-N

    curve horizontaal bij hogere N-waarden. Dit

    betekent dat er een bepaalde

    spanningswaarde is, de vermoeiingslimiet,

    waaronder zich geen breuk zal voordoen als

    gevolg van vermoeiing. Voor de meeste

    stalen varieert de vermoeiingslimiet tussen

    35-60% van de treksterkte.

    De meeste legeringen die geen ijzer bevatten hebben geen vermoeiingslimiet, hun S-N curve

    blijft zijn neerwaartse trend behouden. Dit betekent dat er zich steeds vermoeiing zal

    voordoen, onafhankelijk van de grootte van de spanning. Bij deze materialen definiëren we

    vermoeiingssterkte, het spanningsniveau waarbij zich breuk zal voordoen bij een specifiek

    aantal cycli. Een andere belangrijke parameter is het vermoeiingsleven Nf, i.e. het aantal

    cycli waarna zich breuk zal voordoen bij een gegeven spanning. S-N curven zijn ‘best-fit’-

    curven, i.e. ze zijn getrokken door punten die gemiddelde waardes voorstellen.5

    5 Voor meer uitleg: p230-231.

  • Chapter VIII: Failure

    31

    Crack initiation and propagation

    Het proces van vermoeiing wordt gekarakteriseerd door drie afzonderlijke stappen: (1)

    ontstaan van een kleine in de buurt van een hoge spanningsconcentratie; (2) scheurgroei,

    waarbij diezelfde scheur elke cyclus in grootte toeneemt; en (3) uiteindelijke breuk, welke

    zeer snel gebeurt eens de scheur een kritieke grootte heeft bereikt.

    De regio van een breukoppervlak dat ontstaan is tijdens stap (1) bestaat uit twee delen,

    beachmarks en striations. Ze wijzen de positie aan

    van de scheurtip (i.f.v. de tijd) en komen voor als

    concentrische cirkeldelen die zich verwijderen van de

    plaats waar de scheur is ontstaan. Beachmarks

    worden enkel aangetroffen in componenten die niet

    voortdurend operatief zijn. Elke striation stelt de

    afstand voor die de scheur groter is geworden

    gedurende één belastingscyclus. Merk op dat

    beachmarks en striations niet voorkomen in regio’s waarin snelle breuk plaatsvindt.6

    Factors that affect fatigue life

    Mean stress

    Hieruit blijkt dat een verhoogde

    gemiddelde spanning zal leiden tot een

    daling van het vermoeiingsleven.

    Surface effects

    In de meeste gevallen komt de maximale spanning binnen een structuur voor aan het

    oppervlak. Bijgevolg ontstaan dus ook de meeste scheurtjes die leiden tot breuk aan het

    oppervlak. Het vermoeiingsleven is bijzonder afhankelijk van de configuratie van dit

    oppervlak en de conditie waarin het zich bevindt.

    6 P237-243 niet gezien in de les; dia’s 44-45 van de overeenkomstige les doornemen. 235-236 lezen.

  • Chapter IX: Phase diagrams

    32

    Chapter IX: Phase diagrams

    Definitions and basic concepts

    Componenten zijn pure metalen en/of mengsels waaruit een legering is opgebouwd. De

    term systeem kan enerzijds verwijzen naar een specifiek lichaam of materiaal dat men

    bestudeert en anderzijds naar een reeks mogelijke legeringen die bestaan uit dezelfde

    componenten, ongeacht de samenstelling ervan.

    Solubility limit

    De oplosbaarheidslimiet wordt gedefinieerd als het

    maximale aantal solute-atomen die kunnen

    diffunderen in een solvent. Wanneer na deze limiet

    nog meer atomen aan de oplossing worden

    toegevoegd, ontstaat een nieuwe solid solution met

    een verschillende samenstelling.7

    Phases

    Een toestand kan worden gezien als een homogeen gedeelte van een systeem dat uniforme

    fysische en chemische eigenschappen heeft. Zo wordt elk zuiver materiaal aanzien als een

    toestand; zo ook elke vaste stof, vloeistof en gas. Wanneer meer dan één toestand aanwezig

    is in een systeem zal elke toestand specifieke eigenschappen hebben en zal er een grens zijn

    waarover een discontinue en abrupte verandering in karakteristieken bestaat. Systemen die

    uit meerdere fasen bestaan worden ook wel mengsels of heterogene systemen genoemd.

    Meestal werken de verschillende toestanden dan zo samen dat de combinatie van hun

    eigenschappen aantrekkelijker is dan de eigenschappen van elk van de afzonderlijke fasen.

    Microstructure

    De microstructuur beïnvloedt de fysische eigenschappen en het mechanisch gedrag van een

    materiaal. In metaallegeringen wordt deze structuur gekenmerkt door het aantal aanwezige

    fasen, hun proporties en de manier waarop ze zijn verdeeld. Andere beïnvloedende

    variabelen zijn de aanwezige elementen, hun concentraties en de warmtebehandeling die de

    legering heeft ondergaan. De verschillende fasen kunnen worden ontdekt m.b.v. een

    microscoop.

    Phase equilibria

    Evenwicht kan het best worden beschreven in termen van vrije energie. Deze energie is

    afhankelijk van de interne energie en entropie van een systeem. Men zegt dat een systeem

    in evenwicht is wanneer zijn vrije energie minimaal is, i.e. de karakteristieken van het

    materiaal zijn onafhankelijk van de tijd. Wanneer de temperatuur, druk en/of de

    7 Uitleg figuur: zie p254.

  • Chapter IX: Phase diagrams

    33

    samenstelling van een systeem wordt verandert, stijgt de vrije energie en kan het systeem

    spontaan overgaan naar een andere toestand zodat de vrije energie opnieuw kleiner wordt.

    De term fase-evenwicht refereert naar een evenwicht in systemen waarin meer dan één

    toestand aanwezig is.

    Het is vaak het geval, vooral in vaste systemen, dat een nieuwe evenwichtstoestand nooit

    volledig wordt bereikt omdat de snelheid waarmee dit evenwicht benaderd wordt zeer laag

    is. Zulk systeem wordt onevenwichtig of metastable genoemd.

    One-component (or unary) phase diagrams

    Er zijn drie externe parameters die de fasestructuur kunnen aantasten: temperatuur, druk en

    samenstelling van de componenten. Een fasediagram wordt gemaakt door verschillende

    combinaties van deze parameters tegen elkaar uit te zetten. Een fasediagram van een

    systeem dat uit slechts één component bestaat is enkel afhankelijk van de druk en de

    temperatuur. Het wordt ook wel een P-T-diagram genoemd. 8

    Binary phase diagrams

    In dit type fasediagram zijn temperatuur en compositie de variabelen, terwijl de druk

    constant blijft. Deze variabelen beïnvloeden de microstructuur van een legering. Vele

    microstructuren worden ontwikkeld door fasetransformaties, de veranderingen die ontstaan

    wanneer de temperatuur wordt gewijzigd. Deze verandering kan een overgang zijn van de

    ene fase naar de andere of de aan/afwezigheid van een bepaalde fase.

    Binary isomorphous systems

    Dit is het binair fasediagram van een koper-nikkelsysteem. We onderscheiden drie

    verschillende faseregionen, een alfa (α) veld, een

    vloeistof (L) veld en een twee-fase α+L veld. Bij

    temperaturen lager dan 1080°C zijn koper en nikkel

    volledig in elkaar oplosbaar in de vaste fase. Het koper-

    nikkel systeem wordt isomorf genoemd omwille van

    deze volledige oplosbaarheid in zowel het α als L-gebied.

    Voor alle metaallegeringen worden de vaste oplossingen

    meestal aangeduid met Griekse letters. De lijn die de L

    en (α+L) gebieden scheidt wordt de liquidus line

    genoemd. De solidus line ligt tussen de α en (α+L)

    gebieden. Deze twee lijnen komen op twee punten

    samen: de smelttemperaturen van de afzonderlijke componenten. Wanneer het systeem

    bestaat uit een mengsel van twee componenten vindt dit smeltfenomeen plaats in het

    8 Extra uitleg zie p257-258

  • Chapter IX: Phase diagrams

    34

    temperatuurbereik tussen de solidus en liquidus lijn. Zowel de α als de L-fase zijn in dit

    gebied in evenwicht.

    Interpretation of phase diagrams

    Voor een binair systeem in evenwicht waarvan zowel temperatuur als compositie gekend is,

    zijn drie soorten informatie beschikbaar: (1) de aanwezige fasen, (2) de compositie van deze

    fasen en (3) de percentages of fracties van de fasen.

    Phases present

    Om dit te weten hoeft men enkel een punt uit te zetten (T, compositie) en te noteren in welk

    gebied dit punt ligt.

    Determination of phase compositions

    Wanneer slechts één fase aanwezig is, is de

    compositie van deze fase simpelweg gelijk aan

    de algemene compositie van de legering. Voor

    een regio met twee fasen kan men een reeks

    horizontale lijnen inbeelden, één bij elke

    temperatuur, die bekend staan als tie lines.

    Deze lijnen eindigen bij de grenslijnen van elke

    fase. Om de evenwichtsconcentraties van elk

    van de twee fasen te berekenen moet men

    volgende procedure volgen:

    1. Construeer een tie line in de regio met

    twee fasen langs de temperatuur van

    de legering

    2. Noteer de snijpunten van de tie line met elke grenslijn

    3. Tenslotte kan de compositie van elke fase worden afgelezen

    Determination of phase amounts

    In een regio die slechts uit één fase bestaat zal de legering uiteraard volledig uit die fase zijn

    opgebouwd. In regio’s met twee fasen wordt opnieuw gebruik gemaakt van de tie line en

    een bijkomstige procedure die meestal de lever rule wordt genoemd. De waarden kunnen

    worden berekend met de volgende formules: 9

    9 P264 niet gezien in de les; in verband met volumefracties.

    L

    SW

    R S

    RW

    R S

  • Chapter IX: Phase diagrams

    35

    Development of microstructure in isomorphous alloys

    Equilibrium cooling

    Hierbij verloopt de afkoeling zeer traag, zodat

    het fase-evenwicht continu behouden blijft.

    In punt a is de legering een vloeistof en dat zal

    bij afkoeling zo blijven tot de liquidus lijn bereikt

    wordt. In dit punt (b) begint de eerste vaste stof

    α zich te vormen. Bij verdere afkoeling zullen de

    composities en de hoeveelheden van elke fase

    veranderen. De fractie vaste stof zal steeds

    groter worden. Het verhardingsproces is

    ongeveer compleet in punt d, er blijft enkel nog

    een kleine fractie vloeistof over. Wanneer de

    solidus lijn wordt overschreden zal dit laatste

    restje vloeistof volledig uitharden. Wat

    overblijft is een polykristallijne vaste oplossing

    die zich in de α-fase bevindt.

    Nonequilibrium cooling

    De reden waarom de bovenstaande

    microstructuur zich enkel ontwikkelt bij trage

    afkoeling is de voortdurende aanpassing in de

    compositie van de vloeistof en vaste fasen bij een

    wijzigende temperatuur, en dit overeenkomstig

    met het fasediagram. Deze aanpassingen worden

    verwezenlijkt door diffusieprocessen en omdat dit

    een tijdsafhankelijk fenomeen is moet er

    voldoende tijd zijn bij elke temperatuur zodat het

    evenwicht blijft behouden. In praktisch alle

    verhardingsprocessen gebeurt de afkoeling zo snel

    dat er geen evenwicht kan worden behouden

    omdat de aanpassingen in de compositie niet

    volledig kunnen plaatsvinden. Bijgevolg zullen er

    andere microstructuren ontstaan.

    Vanaf punt a’ tot de liquidus lijn zullen er geen veranderingen optreden in de compositie van

    de legering. Vanaf punt b’ beginnen zich α-fase deeltjes te vormen. Wanneer verder wordt

    afgekoeld tot punt c’, zal de compositie opnieuw veranderen. Omdat diffusie in de α-fase vrij

    traag verloopt, zal deze nog niet geheel in compositie zijn verandert. De compositie van de

    α-korrels is voortdurend verandert met radiale positie, van ongeveer 45 wt% Ni in de

  • Chapter IX: Phase diagrams

    36

    graankernen tot 40 wt% Ni aan de buitenzijde van de korrels. Omwille hiervan zal de

    gemiddelde compositie van de α-korrels in punt c’ tussen 46 en 40 wt% Ni liggen. Het is ook

    zo dat de fractie aanwezige vloeistof in dit punt groter is dan bij evenwichtskoeling. Hieruit

    volgt dat de solidus lijn is verschoven naar grotere Ni-waarden, en dit naar de gemiddelde

    compositie van de α-fase (stippellijn). De liquidus lijn wordt niet verschoven omdat we

    veronderstellen dat het evenwicht wordt bewaard in de vloeistoffase. In punt d’ zou de

    verharding compleet moet zijn. Toch blijft er nog een vrij grote hoeveelheid vloeistof over en

    de compositie van de gemiddelde α-fase is hier nog steeds 38 wt% Ni. In punt e’ is de

    uitharding compleet, de α-fase heeft een gemiddelde compositie van 35 wt% Ni. Punt f’

    toont de microstructuur van de uiteindelijke vaste stof.

    De graad waarmee de solidus lijn wordt verschoven is afhankelijk van de snelheid waarmee

    de afkoeling gebeurt. Hoe trager, hoe kleiner de verplaatsing. Uit alle bovenstaande

    elementen is het duidelijk dat de distributie van de twee elementen in de korrels niet

    uniform is. Dit fenomeen noemt men segregatie. De kern van elke korrel zal rijk zijn aan het

    element met de hoogste smelttemperatuur, terwijl de concentratie van het element met de

    lagere smelttemperatuur zal toenemen met positie, van de kern tot de korrelgrens. Dit

    noemen we een cored structure.10

    Binary eutectic systems

    In dit diagram zijn er drie regio’s met een enkele

    fase: α, β en L. De α-fase is een vaste oplossing

    die rijk is aan koper, zilver is de solute-

    component. De β-fase is ook een vaste

    oplossing, maar hier is koper de solute. Het blijkt

    dat de oplosbaarheid in elk van deze vaste fasen

    gelimiteerd is. De oplosbaarheidslimiet voor de

    α-fase komt overeen met de lijn CBA. De lijn

    tussen het α en (α+β)-gebied noemen we de

    solvus line. De grens tussen de α en (α+L)-

    velden is de solidus lijn. Hetzelfde geldt voor de

    β-regio. De horizontale lijn BEG, die tussen de twee maximale oplossingspunten ligt, is ook

    een solidus lijn; ze representeert de laagste temperatuur waarbij een vloeistoffase kan

    bestaan voor elke koper-zilverlegering in evenwicht. Er zijn ook drie regio’s met twee fasen:

    (α+β), (α+L) en (β+L).

    Wanneer zilver aan koper wordt toegevoegd daalt de temperatuur waarbij de legering

    volledig vloeibaar wordt; dit gebeurt langsheen de liquidus lijn AE. Hetzelfde geldt voor het

    toevoegen van koper aan zilver. Deze twee liquidus lijnen snijden elkaar in het punt E, waar

    ook de horizontale isotherm doorloopt. Punt E wordt een invariabel punt genoemd, welk

    10 Mechanische eigenschappen van isomorfe legeringen p268-269 niet gezien in de les, eens lezen.

  • Chapter IX: Phase diagrams

    37

    wordt voorgesteld door de compositie CE en temperatuur TE. Er ontstaat een belangrijke

    reactie wanneer een legering met compositie CE van temperatuur verandert en daarbij door

    TE loopt: L(CE) α(CαE) + β(CβE). M.a.w. een vloeistoffase wordt getransformeerd in de

    twee vaste α en β-fasen bij een temperatuur TE (het omgekeerde gebeurt bij verwarming).

    Dit noemt men een eutectic reaction (eutectic betekent gemakkelijk smelten). Soms wordt

    de horizontale solidus lijn door E ook de eutectische isotherm genoemd.11

    Development of microstructure in eutectic alloys

    Afhankelijk van de compositie zijn er verschillende types

    van microstructuren mogelijk bij het langzaam afkoelen

    van legeringen die behoren tot een eutectisch systeem.

    Het eerste geval is voor composities die variëren tussen

    een zuivere component en de maximale oplosbaarheid bij

    kamertemperatuur voor diezelfde component. Beschouw

    een legering met compositie C1 wanneer deze langzaam

    wordt afgekoeld van een temperatuur binnen de

    vloeistoffase. Deze legering blijft volledig vloeibaar tot aan

    de liquidus lijn, waarbij zich de eerste vaste α-fase begint

    te vormen. In de smalle (α+L)-regio zal meer van deze

    vaste α-fase gevormd worden. De verharding is voltooid

    wanneer de ww’-lijn de solidus lijn snijdt. De uiteindelijke

    legering is polykristallijn met een uniforme compositie C1. Er zullen zich geen veranderingen

    meer voordoen bij verdere afkoeling tot kamertemperatuur.

    Het tweede geval is voor composities die variëren

    tussen de oplosbaarheidslimiet bij kamertemperatuur

    en de maximale oplosbaarheid, gelegen bij TE.

    Beschouw een legering met compositie C2 wanneer

    deze wordt afgekoeld langsheen de lijn xx’. Bij de eerste

    drie stappen, i.e. de punten d tot en met f, gebeurt

    hetzelfde als in het vorige geval. Juist boven de

    intersectie met de solvus lijn, punt f, bestaat de

    microstructuur uit α-korrels met compositie C2.

    Wanneer de solvus lijn wordt overschreden, wordt de

    oplosbaarheidslimiet van α overschreden en zullen er

    zich kleine β-fase deeltjes vormen (punt g). Wanneer de

    temperatuur blijft dalen zullen deze deeltjes groter

    worden omdat de massafractie van de β-fase groter

    wordt.

    11 Achtergrondinfo over eutectische systemen p271

  • Chapter IX: Phase diagrams

    38

    Het derde geval behandelt de verharding

    van de eutectische compositie. Beschouw

    een legering met deze compositie die wordt

    afgekoeld langs de lijn yy’. Er zal niets

    veranderen in de microstructuur tot de

    eutectische temperatuur wordt bereikt.

    Wanneer de eutectische isotherm wordt

    overschreden zal de vloeistof veranderen in

    de twee α en β-fasen. Gedurende deze

    transformatie zal er een herverdeling zijn

    van beide componenten. Deze herverdeling gebeurt onder invloed van atomaire diffusie. De

    microstructuur die hieruit voorkomt bestaat uit afwisselende lagen van de α en β-fasen en

    wordt ook wel de eutectic structure genoemd (punt i). Deze structuur is karakteristiek aan

    deze reactie. Verdere afkoeling naar kamertemperatuur zal enkel leiden tot minieme

    veranderingen in de microstructuur.

    De vierde en laatste microstructuur bevat alle composities, verschillend van de eutectische,

    die bij afkoeling de eutectische isotherm overschrijden.12 De eerste drie stappen zijn gelijk

    aan die van het tweede geval. Wanneer de temperatuur dan verder daalt, tot net onder de

    eutectische isotherm, zal de microstructuur veranderen naar de eutectische structuur. Er

    zullen vrijwel geen veranderingen meer optreden in de α-fase die werd gevormd in de (α+L)-

    regio. Om de twee α’s van elkaar te onderscheiden krijgt de α die voorkomt in de

    eutectische structuur de naam eutectische α, terwijl de α die gevormd is voordat de

    eutectische isotherm werd overschreden primaire α wordt genoemd.

    Met betrekking tot microstructuren is het soms gemakkelijk om de term microbestanddeel

    te gebruiken, i.e. een element van de microstructuur die een herkenbare en karakteristieke

    structuur heeft.

    12 Niet gezien in de les? Voor de figuur zie p280; tekst en uitleg formules p281-282

    e L

    PW W

    P Q

    '

    QW

    P Q

    Q RW

    P Q R

    PW

    P Q R

  • Chapter IX: Phase diagrams

    39

    Equilibrium diagrams having intermediate phases or compounds

    De α en β-fasen in voorgaan-

    de figuren worden ook wel

    terminal solid solutions

    genoemd, omdat ze slechts

    bestaan voor composities die

    aan de zijkant van het fase-

    diagram liggen. In andere

    legeringsystemen bestaan er

    ook intermediate solid

    solutions (e.g. β, γ, δ en ε).

    De β’-fase wordt een

    geordende oplossing

    genoemd omdat de koper –

    en zinkatomen specifiek gesitueerd zijn binnen elke eenheidscel. De gestippelde grenslijnen

    duiden aan dat hun posities nog niet exact zijn bepaald. 13

    Eutectoid and peritectic reactions

    Naast het