Renesas VP 操作マニュアル · 2016-11-04 · (2)active datasheet –igbt–...

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Renesas VP 操作マニュアルルネサスパワーデバイスシミュレーションサイト～

2016.10 REV.1.0ルネサスエレクトロニクス株式会社APD_BL201601478


目次

1. RENESAS VP でできること

2. ご利用の前に（MyRenesasユーザー登録）

3. 操作説明

(1)Main Menu

(2)Active Datasheet –IGBT-

(3)Active Datasheet –MOSFET-

(4)Application Designer

4. RenesasVPシミュレータでオフラインシミュレーション


1.Renesas VPでできること“Renesas VP”は、Renesas Virtual Powor Lab.の略で、

IGBT/パワーMOSFETの動作を ”簡単に” シミュレーションできるサイトです。

お客様の用途に応じた最適製品の選定や評価のスピードアップを図ることができます。

Active Data Sheet *対象製品：IGBT/ ﾊﾟﾜｰMOSFET（耐圧30V-100V)

Application Designer *対象製品：IGBT

インバータ(Half,Full,Three Phase)、力率改善回路（PFC)など各種トポロジによるスイッチング動作波形解析＊Three Phaseは近日公開

電源効率、ジャンクション温度解析、CSVダウンロード

Renesas VP シミュレータ＆回路ファイルのダウンロードによるオフラインシミュレーション*近日公開

シミュレーション結果 PDFファイルダウンロード

IGBT/MOSFETの各種電気的特性をご希望の動作条件下でシミュレーション

異なるスイッチング周波数でのIGBTの許容電流のシミュレーション

SPICEMODEL ダウンロード

シミュレーション結果 PDFファイルダウンロード

＊Renesas VPをご利用いただくときは、下記ブラウザでのご利用を推奨いたします。

Internet Explorer10.0以上、最新のFirefox、最新のGoogle Chrome


2.ご利用の前にRenesas VPはMy Renesasのプレミアムサービスのひとつです。

まずはMy Renesasにご登録ください。

Renesas Webサイトトップページご登録／ログイン

http://www.renesas.com/myrenesas/

http://www.renesas.com/myrenesas/


3.操作説明

(1)Main Menu

(2)Active Datasheet –IGBT-

(3)Active Datasheet –MOSFET-

(4)Application Designer


(1)Main Menu

①サイト内言語は、英・日・中選択ができます(ログイン後でも変更可能です）

②シミュレーションツールを選択します

Active Data sheet (IGBT /MOSFET）または、Application Designer (Try)をクリック

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(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–①メニュー画面で ”IGBT”を選択します②製品名を直接入力、またはアプリケーション・パッケージ・特性情報の絞込みで、条件にあった製品が表示されます③シミュレーションする製品を選択 “Select” ボタンで次に進みます

項目ごとにソート可能

通常のデータシートダウンロード（PDF)

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絞込みをリセットします


(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–①シミュレーション項目を選択します (複数選択可能）②動作条件入力します③“Run Test”ボタンをクリックし、シミュレーション開始です（“RUN ALL TEST” で全特性シミュレーション可能）④シミュレーション結果が表示されます

“RUN ALL TEST”：シミュレーション時間がかかる場合あります。ご注意ください。

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(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–

波形グラフをクリックし“WebScope”表示カーソル機能つきグラフで詳細分析

Spiceモデルがダウンロードできます。

動作条件を初期値に戻す

①波形グラフをクリックすると、WebScopeが開きます②各パラメータの回路図が表示されます③SPICE MODELダウンロードができます

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カーソルの移動

(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–

：グラフ印刷

：デフォルトの状態に戻す

：で戻した操作をやり直す

：ひとつ前の状態に戻す

：ドラッグしながら、グラフ全体を拡大

：クリック部分を基点にグラフ全体を縮小

：クリック部分を基点にグラフ全体を拡大

：ドラッグしながら、グラフ全体を移動

選択した波形を並びかえ（上へ移動）(※)

選択した波形を並びかえ(下へ移動）(※)

全ての波形を選択します。

全ての波形を非選択します。

(※)チェックボックスではなく、

項目名をクリックして選択します。

操作ボタン

各項目の平均値、最小値、最大値などを読み取れます

項目選択

①両脇のカーソルを移動して値の読み取りができます②グラフ操作ボタンで波形の拡大縮小ができます③項目選択で波形項目の並び替え、必要な波形のみに選択ができます④各種項目による値の読み取りができます

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(2)ACTIVE DATASHEET –IGBT–①シミュレーションした製品のSPICEモデルのダウンロードが出来ます②デザインサマリを PDF Fileでダウンロードできます③デザインサマリを印刷できます④デザインの保存や保存したデータをシェアできます

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(3)ACTIVE DATASHEET –MOSFET–①メニュー画面で ”MOSFET”を選択します②製品名を直接入力、またはパッケージ、特性情報の絞込みで条件にあった製品が表示されます③シミュレーションする製品を選択 “Select” ボタンで次に進みます

項目ごとにソート可能

通常のデータシートダウンロード（PDF)

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(3)ACTIVE DATASHEET –MOSFET–①シミュレーション項目を選択します②動作条件を変更する場合、“Edit”ボタンを押します(次ページへ）③全ての項目をシミュレーションする場合は、“Run All Test”をクリックします④SPICEMODELがダウンロードできます

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“RUN ALL TEST”：シミュレーション時間がかかる場合があります。ご注意ください。


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(3)ACTIVE DATASHEET –MOSFET–①動作条件を入力します② “Run Test”ボタンをクリックし、シミュレーション開始です③シミュレーション結果が表示されます④波形グラフをクリックすると、WebScopeが開きます (操作方法はP10へ）

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波形グラフをクリックし“WebScope”表示カーソル機能つきグラフで詳細分析

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(4)Application Designer①Application Designer “Try”をクリックします②トポロジと回路構成を選択します＊ここでは”Inverter” ”Full-Bridge“を選択します③動作条件を入力します④“Select IGBT”ボタンで次に進みます

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回路イメージ

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(4)Application Designer ①シミュレーションする製品のボタンを押し選択します

②”NEXT”ボタンで次に進みます

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上位3製品が入力した動作条件にお勧めの製品です。

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(4)Application Designer①必要に応じて各パラメータの回路定数を変更します②“Conf”ボタンをクリックし、解析時間を設定します③”Simulation”をクリックし、シミュレーションを開始します

定数が変更可能な素子をクリックするとパラメータ変更Boxが開きます。

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(4)Application Designer①波形グラフをクリックすると、WebScopeが開きます (操作方法は、P10へ）

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(4)Application Designer①”Efficiency“をクリックし、効率分析へ進みます② 周囲温度、ヒートシンク、絶縁シートの熱抵抗条件を設定します③“Download CSV”をクリックし効率、損失グラフの数値データがダウンロードできます

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ヒートシンク、絶縁シートの熱抵抗を変更する事で、ジャンクション温度の変化を確認でき、放熱設計の参考になります。


(4)Application Designer①”Summary“をクリックし、Summaryページに進みます②デザインサマリを PDF Fileでダウンロードできます③デザインサマリを印刷できます。④デザインの保存や保存したデータをシェアできます⑤サンプル購入サイトへ進みます

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www.renesas.com

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