f + , 2 2.5V 6 G 2 J Nch+Pch MOSFET...0.01 0.1 1 10 100 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (A) CAPACITANCE...

QS6M4

Rev.B 1/5

2.5V Nch+Pch MOSFETQS6M4

P MOSN MOS

1) TSMT6 Pch MOSFET Nch MOSFET

2)3) 2.5V

(Unit : mm)

包装名　

記号　

テーピング　

基本発注単位（個）　

QS6M4

TR3000

Type

(Ta=25 C)

∗1

VVDSS 30VVGSS ±12AID ±1.5AIDP ±6.0AIS 0.8AISP 6.0

W/トータル　PD

1.25

°CTch 150°CTstg −55~+150

N-ch−20±12±1.5±6.0

−0.75−6.0

P-chドレイン・ソース間電圧　ゲート・ソース間電圧　

ドレイン電流　

ソース電流　（内部ダイオード）　

全許容損失　

チャネル部温度　保存温度　

直流　パルス　直流　パルス　

∗1 Pw≦10μs, Duty cycle≦1%∗2セラミック基板実装時　

∗1

∗2W/素子　0.9

Parameter SymbolLimits

Unit

(1) Tr1 (Nch) ソース　(2) Tr1 (Nch) ゲート(3) Tr2 (Pch) ドレイン　(4) Tr2 (Pch) ソース　(5) Tr2 (Pch) ゲート　(6) Tr1 (Nch) ドレイン　

∗1静電気保護用ダイオード　∗2内部ダイオード　∗1静電気保護用ダイオード　∗2内部ダイオード　

∗2 ∗2

∗1

∗1

(1)

(6) (5) (4)

(2) (3)

°C / W / トータル　Rth (ch-a)

100チャネル・外気間　

°C / W / 素子　139

Parameter Symbol Limits Unit∗

∗ セラミック基板実装時　

Each lead has same dimensions

TSMT6

0.4

(1)

(5)

(3)

(6)

(2)

(4)

1pin mark

2.8

1.6

1.92.9

0.950.95

0~0.1

0.16

0.85

1.0MAX

0.7

0.3~

0.6

標印略記号 : M04

122246

テキストボックス

SOT-457T

QS6M4

Rev.B 2/5

(Ta=25 C)<Tr1. N-ch MOSFET>

Parameter SymbolIGSS

Yfs

Min.− − ±10 μA VGS=±12V / VDS=0V

VDD 15V

Typ. Max. Unit Conditionsゲート漏れ電流　

V(BR) DSS 30 − − V ID=1mA / VGS=0Vドレイン・ソース降伏電圧　IDSS − − 1 μA VDS=30V / VGS=0Vドレイン遮断電流　

VGS (th) 0.5 − 1.5 V VDS=10V / ID=1mAゲートしきい値電圧　− 170 230 ID=1.5A / VGS=4.5V

ドレイン・ソース間オン抵抗　RDS (on) − 180 245 mΩ ID=1.5A / VGS=4.0V

順伝達アドミタンス　− 260 360 ID=1.0A / VGS=2.5V

入力容量　1.0 − − S VDS=10V / ID=1.0A

出力容量　Ciss − 80 − pF VDS=10V

帰還容量　Coss − 25

15− pF VGS=0V

ターンオン遅延時間　Crss −

7− pF f=1MHz

VGS=4.5VRL=15Ω / RG=10Ω

立上がり時間　td (on) −

18− ns

ターンオフ遅延時間　tr −

15− ns

下降時間　td (off) −

15− ns

tf −1.6

− nsQg −

0.5− nC

Qgs −0.9

− nC VGS=4.5VRL=10ΩRG=10Ω

Qgd − − nC ID=1.5A∗パルス　

∗

∗

∗

∗

∗

∗

∗

∗

∗

ID=1A, VDD 15V

ゲート総電荷量　ゲート・ソース間電荷量　ゲート・ドレイン間電荷量　

( - ) (Ta=25 C) <Tr1. N-ch MOSFET>

順方向電圧　 VSD − − 1.2 V IS=3.2A / VGS=0V∗パルス　

∗Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions

QS6M4

Rev.B 3/5

(Ta=25 C)<Tr2. P-ch MOSFET>

IGSS

Yfs

− − ±10 μA VGS= ±12V / VDS=0V

VDD −15V

ゲート漏れ電流　V(BR) DSS −20 − − V ID= −1mA / VGS=0Vドレイン・ソース降伏電圧　

IDSS − − −1 μA VDS= −20V / VGS=0Vドレイン遮断電流　VGS (th) −0.7 − −2.0 V VDS= −10V / ID=−1mAゲートしきい値電圧　

− 155 215 ID= −1.5A / VGS= −4.5Vドレイン・ソース間オン抵抗　RDS (on) − 170 235 mΩ ID= −1.5A / VGS= −4.0V

順伝達アドミタンス　− 310 430 ID= −0.75A / VGS= −2.5V

入力容量　1.0 − − S VDS= −10V / ID= −0.75A

出力容量　Ciss − 270 − pF VDS= −10V

帰還容量　Coss − 40

35− pF VGS=0V

ターンオン遅延時間　Crss −

10− pF f=1MHz

VGS= −4.5VRL=20Ω / RG=10Ω

立上がり時間　td (on) −

12− ns

ターンオフ遅延時間　tr −

45− ns

下降時間　td (off) −

20− ns

tf −3.0

− nsQg −

0.8− nC

Qgs −0.85

− nC VGS= −4.5VQgd − − nC ID= −1.5A

∗パルス　

∗

∗

∗

∗

∗

∗

∗

∗

∗

ID= −0.75A, VDD −15V

ゲート総電荷量　ゲート・ソース間電荷量　ゲート・ドレイン間電荷量　

RL=10ΩRG=10Ω

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions

( - )<Tr2. P-ch MOSFET>

順方向電圧　 VSD − − −1.2 V IS= −0.75A / VGS=0VParameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions

QS6M4

Rev.B 4/5

N-ch

1

10

100

1000

0.01 0.1 1 10 100

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (A)

CA

PA

CIT

AN

CE

: C

(pF)

Ta=25°Cf=1MHzVGS=0V

Fig.1 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

Ciss

Coss

Crss

1

10

100

1000

0.01 0.1 1 10

DRAIN CURRENT : ID (A)

SW

ITC

HIN

G T

IME

: t(

ns)

Ta=25°CVDD=15VVGS=4.5VRG=10ΩPulsed

Fig.2 Switching Characteristics

tr

tf

td (off)

td (on)

0 0.5 1.0 1.5 2.0

TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)

0

1

2

3

4

5

6

GA

TE-S

OU

RC

E V

OLT

AG

E :

V GS

(V) Ta=25°C

VDD=15VID=1.5ARG=10ΩPulsed

Fig.3 Dynamic Input Characteristics

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.50.001

0.01

0.1

1

10

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)

DR

AIN

CU

RR

EN

T : I

D(A

)

Fig.4 Typical Transfer Characteristics

VDS=10VPulsed

Ta= −25°CTa=25°CTa=75°CTa=125°C

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)

100.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

STAT

IC D

RAI

N-S

OU

RC

EO

N-S

TATE

RES

ISTA

NC

E : R

DS

(on)

(mΩ

)

Fig.5 Static Drain-SourceOn-State Resistance vs. Gate-Source Voltage

Ta=25°CPulsed

ID=0.75AID=1.5A

0.01

0.1

1

10

0.0 0.5 1.0 1.5

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)

SO

UR

CE

CU

RR

EN

T : I

s(A

)

Fig.6 Source Current vs.Source-Drain Voltage

VGS=0VPulsed

Ta= −25°CTa=25°CTa=75°CTa=125°C

1

10

0.10.01 0.1 1 10


STA

TIC

DR

AIN

-SO

UR

CE

ON

-STA

TE R

ES

ISTA

NC

E :

RD

S (o

n) (m

Ω)

Fig.7 Static Drain-SourceOn-State Resistancevs. Drain Current (Ι)

VGS=4.5VPulsed

Ta= −25°CTa=25°CTa=75°CTa=125°C

1

10

0.10.01 0.1 1 10


VGS=4.0VPulsed

STA

TIC

DR

AIN

-SO

UR

CE

ON

-STA

TE R

ES

ISTA

NC

E :

RD

S (o

n) (m

Ω)

Fig.8 Static Drain-SourceOn-State Resistancevs. Drain Current (ΙΙ)

Ta= −25°CTa=25°CTa=75°CTa=125°C

1

10

0.10.01 0.1 1 10

VGS=2.5VPulsed


STA

TIC

DR

AIN

-SO

UR

CE

ON

-STA

TE R

ES

ISTA

NC

E :

RD

S (o

n) (m

Ω)

Fig.9 Static Drain-SourceOn-State Resistancevs. Drain Current (ΙΙΙ)

Ta= −25°CTa=25°CTa=75°CTa=125°C

QS6M4

Rev.B 5/5

P-ch

10

100

1000

100.01 0.1 1 10 100

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : −VDS (V)

CA

PA

CIT

AN

CE

: C

(pF)

Ta=25°Cf=1MHzVGS=0V

Ciss

Crss

Coss

Fig.1 Typical Capacitancevs. Drain-Source Voltage

1

10

100

1000

0.01 0.1 1 10

DRAIN CURRENT : −ID (A)

SW

ITC

HIN

G T

IME

: t(

ns)

Ta=25°CVDD= −15VVGS= −4.5VRG=10ΩPulsed

td (off)

td (on)

tr

tf

Fig.2 Switching Characteristics

Ta=25°CVDD= −15VID= −1.5ARG=10ΩPulsed

0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5

TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)

0

1

2

3

4

5

6

7

8

GA

TE-S

OU

RC

E V

OLT

AG

E :

−VG

S(V

)

Fig.3 Dynamic Input Characteristics

0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8

GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)

0.001

0.01

0.1

1

10

DR

AIN

CU

RR

EN

T : −

I D(A

)

VDS= −10VPulsed

Fig.4 Typical Transfer Characteristics

Ta=75°C

Ta= −25°CTa=25°C

Ta=125°C

0 2 4 6 8 10 12

GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)

0

100

200

300

400

500

STA

TIC

DR

AIN

-SO

UR

CE

ON

-STA

TE R

ES

ISTA

NC

E :

RD

S (o

n) (m

Ω)

Fig.5 Static Drain-SourceOn-State Resistance vs. Gate-Source Voltage

Ta=25°CPulsed

ID= −1.5AID= −0.75A

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : −VSD (V)

0.01

0.1

1

10

SO

UR

CE

CU

RR

EN

T : −

I S(A

)

Fig.6 Source Current vs.Source-Drain Voltage

Ta=25°CVGS=0VPulsed

10

100

1000

10000


STA

TIC

DR

AIN

-SO

UR

CE

ON

-STA

TE R

ES

ISTA

NC

E :

RD

S (o

n) (m

Ω)

0.1 1 10

Fig.7 Static Drain-SourceOn-State Resistancevs. Drain Current (Ι)

VGS= −4.5VPulsed

Ta= −25°CTa=25°CTa=75°CTa=125°C

10

100

1000

10000

0.1 1 10


STA

TIC

DR

AIN

-SO

UR

CE

ON

-STA

TE R

ES

ISTA

NC

E :

RD

S (o

n) (m

Ω)

Fig.8 Static Drain-SourceOn-State Resistancevs. Drain Current (ΙΙ)

VGS= −4VPulsed

Ta= −25°CTa=25°CTa=75°CTa=125°C

10

100

1000

10000

0.1 1 10


STA

TIC

DR

AIN

-SO

UR

CE

ON

-STA

TE R

ES

ISTA

NC

E :

RD

S (o

n) (m

Ω)

Fig.9 Static Drain-SourceOn-State Resistancevs. Drain Current (ΙΙΙ)

VGS= −2.5VPulsed

Ta= −25°CTa=25°CTa=75°CTa=125°C

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