Datenblatt / Datasheet FS3L40R07W2H5F B11
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Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0www.infineon.com 2019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™5H5undCoolSiC™SchottkyDiodeundPressFIT/NTCEasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™5H5andCoolSiC™SchottkydiodeandPressFIT/NTC
VCES = 650VIC nom = 40A / ICRM = 80A
PotentielleAnwendungen PotentialApplications• •3-Level-Applikationen 3-level-applications• •Motorantriebe Motordrives• •SolarAnwendungen Solarapplications• •USV-Systeme UPSsystems
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •CoolSiCTMSchottkyDiodeGen5 CoolSiCTMSchottkydiodegen5• •ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V• •NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischenWiderstand
Al2O3substratewithlowthermalresistance
• •KompaktesDesign Compactdesign• •PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology• •Robuste Montage durch integrierteBefestigungsklammern
Rugged mounting due to integrated mountingclamps
ModuleLabelCodeBarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23
Datasheet 2 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V
ImplementierterKollektor-StromImplementedcollectorcurrent ICN 40 A
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC 20 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 80 A
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 20 AVGE = 15 V VCE sat
1,401,461,50
1,81 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 3,25 4,00 4,75 V
GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 300 V QG 0,165 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,008 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,018 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGon = 7,5 Ω
td on0,0190,020,02
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGon = 7,5 Ω
tr0,0080,0080,008
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 7,5 Ω
td off0,090,110,11
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 7,5 Ω
tf0,0140,0220,024
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nHdi/dt = 1000 A/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 7,5 Ω
Eon
0,320,440,47
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nHdu/dt = 5600 V/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 7,5 Ω
Eoff
0,100,150,16
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 180 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 0 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT RthJH 2,12 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 3 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V
ImplementierterDurchlassstromImplementedforwardcurrent IFN 25 A
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 20 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 50 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 50,0
40,0 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 20 A, VGE = 0 VIF = 20 A, VGE = 0 VIF = 20 A, VGE = 0 V
VF
1,651,551,50
2,15 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V
IRM
12,019,021,0
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V
Qr
1,251,761,99
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V
Erec
0,280,380,42
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 2,78 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 4 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
IGBT,3-Level/IGBT,3-LevelHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V
ImplementierterKollektor-StromImplementedcollectorcurrent ICN 40 A
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC 20 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 80 A
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 20 AVGE = 15 V VCE sat
1,401,461,50
1,81 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 3,25 4,00 4,75 V
GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 300 V QG 0,165 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,008 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,018 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGon = 3,9 Ω
td on0,0120,0140,014
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGon = 3,9 Ω
tr0,0040,0040,004
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 3,9 Ω
td off0,090,110,11
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 3,9 Ω
tf0,0140,0220,024
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nHdi/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω
Eon
0,130,160,17
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nHdu/dt = 5500 V/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω
Eoff
0,100,150,16
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 180 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 0 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT RthJH 2,12 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 5 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
Diode,3-Level/Diode,3-LevelHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 20 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 40 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 65,0
60,0 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 20 A, VGE = 0 VIF = 20 A, VGE = 0 VIF = 20 A, VGE = 0 V
VF
1,451,601,65
1,85 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = 15 V
IRM
26,023,022,0
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = 15 V
Qr
0,290,290,29
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = 15 V
Erec
0,080,080,08
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 2,60 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
NennwiderstandRatedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
VerlustleistungPowerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet 6 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
InnereIsolationInternalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
KriechstreckeCreepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5
6,3 mm
LuftstreckeClearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
5,0 mm
VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200
RelativerTemperaturindex(elektr.)RTIElec.
Gehäusehousing RTI 140 °C
min. typ. max.
ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 45 nH
LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 40 - 80 N
GewichtWeight G 39 g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin
Datasheet 7 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,00
5
10
15
20
25
30
35
40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
5
10
15
20
25
30
35
40VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
IC [A
]
4 5 6 7 80
5
10
15
20
25
30
35
40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=7,5Ω,RGoff=7,5Ω,VCE=300V
IC [A]
E [m
J]
0 10 20 30 400,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 150°C
Datasheet 8 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V
RG [Ω]
E [m
J]
0 20 40 60 800,00
0,50
1,00
1,50Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 150°C
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)VGE=±15V,RGon=7.5Ω,RGoff=7.5Ω,VCE=300V,Tvj=150°C
IC [A]
t [µ
s]
0 10 20 30 400,001
0,01
0,1
1tdon
trtdoff
tf
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V,Tvj=150°C
RG [Ω]
t [µ
s]
0 20 40 60 800,001
0,01
0,1
1tdon
trtdoff
tf
TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1
10ZthJH : IGBT
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,1440,0017
20,4880,0198
31,150,139
40,3381,12
Datasheet 9 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=7.5Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0 100 200 300 400 500 600 7000
20
40
60
80
100IC, ModulIC, Chip
KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical)C=f(VCE)VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz
VCE [V]
C [nF
]
0 5 10 15 20 25 300,001
0,01
0,1
1
10
100Cies
Coes
Cres
GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)VGE=f(QG)IC=20A,Tvj=25°C
QG [nC]
VG
E [V
]
0 25 50 75 100 125 150 175-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15VCC = 300V
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
5
10
15
20
25
30
35
40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Datasheet 10 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=7,5Ω,VCE=300V
IF [A]
E [m
J]
0 10 20 30 400,0
0,2
0,4
0,6Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=20A,VCE=300V
RG [Ω]
E [m
J]
0 10 20 30 40 50 60 70 800,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,1
1
10ZthJH : Diode
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,1550,00104
20,4380,0077
31,280,0517
40,9070,166
AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch)outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,00
10
20
30
40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Datasheet 11 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch)outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
10
20
30
40VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch)transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
IC [A
]
4 5 6 7 80
5
10
15
20
25
30
35
40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)switchinglossesIGBT,3-Level(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VCE=300V
IC [A]
E [m
J]
0 10 20 30 400,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)switchinglossesIGBT,3-Level(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V
RG [Ω]
E [m
J]
0 10 20 30 400,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 150°C
Datasheet 12 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch)switchingtimesIGBT,3-Level(typical)tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)VGE=±15V,RGon=3.9Ω,RGoff=3.9Ω,VCE=300V,Tvj=150°C
IC [A]
t [µ
s]
0 10 20 30 400,0001
0,001
0,01
0,1
1tdon
trtdoff
tf
SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch)switchingtimesIGBT,3-Level(typical)tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V,Tvj=150°C
RG [Ω]
t [µ
s]
0 10 20 30 400,001
0,01
0,1
1tdon
trtdoff
tf
TransienterWärmewiderstandIGBT,3-LeveltransientthermalimpedanceIGBT,3-LevelZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,001
0,01
0,1
1
10ZthJH : IGBT
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,1440,0017
20,4880,0198
31,150,139
40,3381,12
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,3-Level(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,3-Level(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=3.9Ω,Tvj=150°C
t [s]
IC [A
]
0 100 200 300 400 500 600 7000
20
40
60
80
100IC, ModulIC, Chip
Datasheet 13 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
KapazitätsCharakteristikIGBT,3-Level(typisch)capacitycharacteristicIGBT,3-Level(typical)C=f(VCE)VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz
VCE [V]
C [nF
]
0 5 10 15 20 25 300,001
0,01
0,1
1
10
100Cies
Coes
Cres
GateladungsCharakteristikIGBT,3-Level(typisch)gatechargecharacteristicIGBT,3-Level(typical)VGE=f(QG)IC=20A,Tvj=25°C
QG [nC]
VG
E [V
]
0 25 50 75 100 125 150 175-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15Vcc = 300V
DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch)forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
10
20
30
40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch)switchinglossesDiode,3-Level(typical)Erec=f(IF)RGon=3,9Ω,VCE=300V
IF [A]
E [m
J]
0 10 20 30 400,000
0,020
0,040
0,060
0,080
0,100Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
Datasheet 14 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch)switchinglossesDiode,3-Level(typical)Erec=f(RG)IF=20A,VCE=300V
RG [Ω]
E [m
J]
0 10 20 30 400,00
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10Erec, Tvj = 150°CErec, Tvj = 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,3-LeveltransientthermalimpedanceDiode,3-LevelZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,1
1
10ZthJH : Diode
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,2110,000993
20,4710,00561
30,6580,0281
41,260,109
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)
TNTC [°C]
R[Ω
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160100
1000
10000
100000Rtyp
Datasheet 15 V3.02019-02-05
FS3L40R07W2H5F_B11
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
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Edition2019-02-05
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