Download - Datenblatt / Datasheet FS3L40R07W2H5F B11

Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0www.infineon.com 2019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™5H5undCoolSiC™SchottkyDiodeundPressFIT/NTCEasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™5H5andCoolSiC™SchottkydiodeandPressFIT/NTC

VCES = 650VIC nom = 40A / ICRM = 80A

PotentielleAnwendungen PotentialApplications• •3-Level-Applikationen 3-level-applications• •Motorantriebe Motordrives• •SolarAnwendungen Solarapplications• •USV-Systeme UPSsystems

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •CoolSiCTMSchottkyDiodeGen5 CoolSiCTMSchottkydiodegen5• •ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V• •NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischenWiderstand

Al2O3substratewithlowthermalresistance

• •KompaktesDesign Compactdesign• •PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology• •Robuste Montage durch integrierteBefestigungsklammern

Rugged mounting due to integrated mountingclamps

ModuleLabelCodeBarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23

Datasheet 2 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V

ImplementierterKollektor-StromImplementedcollectorcurrent ICN 40 A

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC 20 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 80 A

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 20 AVGE = 15 V VCE sat

1,401,461,50

1,81 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 3,25 4,00 4,75 V

GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 300 V QG 0,165 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,008 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,018 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGon = 7,5 Ω

td on0,0190,020,02

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload


tr0,0080,0080,008

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 20 A, VCE = 300 VVGE = -15 / 15 VRGoff = 7,5 Ω

td off0,090,110,11

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload


tf0,0140,0220,024

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nHdi/dt = 1000 A/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 7,5 Ω

Eon

0,320,440,47

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nHdu/dt = 5600 V/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 7,5 Ω

Eoff

0,100,150,16

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 180 A

Tvj = 150°C

tP ≤ 0 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT RthJH 2,12 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

Datasheet 3 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V

ImplementierterDurchlassstromImplementedforwardcurrent IFN 25 A

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 20 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 50 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 50,0

40,0 A²sA²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 20 A, VGE = 0 VIF = 20 A, VGE = 0 VIF = 20 A, VGE = 0 V

VF

1,651,551,50

2,15 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 20 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V

IRM

12,019,021,0

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge


Qr

1,251,761,99

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy


Erec

0,280,380,42

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 2,78 K/W


Datasheet 4 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

IGBT,3-Level/IGBT,3-LevelHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V

ImplementierterKollektor-StromImplementedcollectorcurrent ICN 40 A

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC 20 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 80 A

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V


Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 20 AVGE = 15 V VCE sat

1,401,461,50

1,81 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 3,25 4,00 4,75 V

GateladungGatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 300 V QG 0,165 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,008 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,018 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload


td on0,0120,0140,014

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload


tr0,0040,0040,004

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload


td off0,090,110,11

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload


tf0,0140,0220,024

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nHdi/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω

Eon

0,130,160,17

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 20 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nHdu/dt = 5500 V/µs (Tvj = 150°C)VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω

Eoff

0,100,150,16

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 180 A

Tvj = 150°C

tP ≤ 0 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT RthJH 2,12 K/W


Datasheet 5 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

Diode,3-Level/Diode,3-LevelHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 20 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 40 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 65,0

60,0 A²sA²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 20 A, VGE = 0 VIF = 20 A, VGE = 0 VIF = 20 A, VGE = 0 V

VF

1,451,601,65

1,85 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 20 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = 15 V

IRM

26,023,022,0

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge


Qr

0,290,290,29

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy


Erec

0,080,080,08

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 2,60 K/W


NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

NennwiderstandRatedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ

AbweichungvonR100DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

VerlustleistungPowerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K



AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Datasheet 6 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV

InnereIsolationInternalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3

KriechstreckeCreepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5

6,3 mm

LuftstreckeClearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0

5,0 mm

VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200

RelativerTemperaturindex(elektr.)RTIElec.

Gehäusehousing RTI 140 °C

min. typ. max.

ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 45 nH

LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 40 - 80 N

GewichtWeight G 39 g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin

Datasheet 7 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,00

5

10

15

20

25

30

35

40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

5

10

15

20

25

30

35

40VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

IC [A

]

4 5 6 7 80

5

10

15

20

25

30

35

40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=7,5Ω,RGoff=7,5Ω,VCE=300V

IC [A]

E [m

J]

0 10 20 30 400,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 150°C

Datasheet 8 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V

RG [Ω]

E [m

J]

0 20 40 60 800,00

0,50

1,00


SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)VGE=±15V,RGon=7.5Ω,RGoff=7.5Ω,VCE=300V,Tvj=150°C

IC [A]

t [µ

s]

0 10 20 30 400,001

0,01

0,1

1tdon

trtdoff

tf

SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)switchingtimesIGBT,Inverter(typical)tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V,Tvj=150°C

RG [Ω]

t [µ

s]

0 20 40 60 800,001

0,01

0,1

1tdon

trtdoff

tf

TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10ZthJH : IGBT

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,1440,0017

20,4880,0198

31,150,139

40,3381,12

Datasheet 9 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=7.5Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0 100 200 300 400 500 600 7000

20

40

60

80

100IC, ModulIC, Chip

KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical)C=f(VCE)VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz

VCE [V]

C [nF

]

0 5 10 15 20 25 300,001

0,01

0,1

1

10

100Cies

Coes

Cres

GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)VGE=f(QG)IC=20A,Tvj=25°C

QG [nC]

VG

E [V

]

0 25 50 75 100 125 150 175-15

-12

-9

-6

-3

0

3

6

9

12

15VCC = 300V

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

5

10

15

20

25

30

35

40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Datasheet 10 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=7,5Ω,VCE=300V

IF [A]

E [m

J]

0 10 20 30 400,0

0,2

0,4

0,6Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=20A,VCE=300V

RG [Ω]

E [m

J]

0 10 20 30 40 50 60 70 800,0

0,1

0,2

0,3

0,4


TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,1

1

10ZthJH : Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,1550,00104

20,4380,0077

31,280,0517

40,9070,166

AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch)outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,00

10

20

30

40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Datasheet 11 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch)outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

10

20

30

40VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch)transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

IC [A

]

4 5 6 7 80

5

10

15

20

25

30

35

40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)switchinglossesIGBT,3-Level(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VCE=300V

IC [A]

E [m

J]

0 10 20 30 400,0

0,1

0,2

0,3

0,4


SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)switchinglossesIGBT,3-Level(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V

RG [Ω]

E [m

J]

0 10 20 30 400,0

0,1

0,2

0,3

0,4


Datasheet 12 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch)switchingtimesIGBT,3-Level(typical)tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)VGE=±15V,RGon=3.9Ω,RGoff=3.9Ω,VCE=300V,Tvj=150°C

IC [A]

t [µ

s]

0 10 20 30 400,0001

0,001

0,01

0,1

1tdon

trtdoff

tf

SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch)switchingtimesIGBT,3-Level(typical)tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V,Tvj=150°C

RG [Ω]

t [µ

s]

0 10 20 30 400,001

0,01

0,1

1tdon

trtdoff

tf

TransienterWärmewiderstandIGBT,3-LeveltransientthermalimpedanceIGBT,3-LevelZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,001

0,01

0,1

1

10ZthJH : IGBT

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,1440,0017

20,4880,0198

31,150,139

40,3381,12

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,3-Level(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,3-Level(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=3.9Ω,Tvj=150°C

t [s]

IC [A

]

0 100 200 300 400 500 600 7000

20

40

60

80

100IC, ModulIC, Chip

Datasheet 13 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

KapazitätsCharakteristikIGBT,3-Level(typisch)capacitycharacteristicIGBT,3-Level(typical)C=f(VCE)VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz

VCE [V]

C [nF

]

0 5 10 15 20 25 300,001

0,01

0,1

1

10

100Cies

Coes

Cres

GateladungsCharakteristikIGBT,3-Level(typisch)gatechargecharacteristicIGBT,3-Level(typical)VGE=f(QG)IC=20A,Tvj=25°C

QG [nC]

VG

E [V

]

0 25 50 75 100 125 150 175-15

-12

-9

-6

-3

0

3

6

9

12

15Vcc = 300V

DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch)forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50

10

20

30

40Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch)switchinglossesDiode,3-Level(typical)Erec=f(IF)RGon=3,9Ω,VCE=300V

IF [A]

E [m

J]

0 10 20 30 400,000

0,020

0,040

0,060

0,080


Datasheet 14 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch)switchinglossesDiode,3-Level(typical)Erec=f(RG)IF=20A,VCE=300V

RG [Ω]

E [m

J]

0 10 20 30 400,00

0,02

0,04

0,06

0,08


TransienterWärmewiderstandDiode,3-LeveltransientthermalimpedanceDiode,3-LevelZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,1

1

10ZthJH : Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,2110,000993

20,4710,00561

30,6580,0281

41,260,109

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)

TNTC [°C]

R[Ω

]

0 20 40 60 80 100 120 140 160100

1000

10000

100000Rtyp

Datasheet 15 V3.02019-02-05

FS3L40R07W2H5F_B11

Schaltplan/Circuitdiagram

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

Infineon

TrademarksAllreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.

Edition2019-02-05

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