RQ5C030TPTL : Pch -20V -3A Small Signal MOSFET ... RQ5C030TP Pch -20V -3A Small Signal MOSFET Datasheet Documents

Ontwerp en bouw van een 300 W MOSFET push-pull … · 2016-07-05 · transistor(en) aanduidt op de meter M1 ... Q1 2N2907 PNP Divers Q2 BD676 Darlington PNP Divers Q3, Q4, Q6, ... Documents

Ontwerp en bouw van een 300 W MOSFET push-pull vermogenversterker voor 144 MHz (deel 3)Conception et construction dun amplificateur push-pull de 300 W MOSFET pour 144 MHz…

R6076ENZ4C13 : Nch 600V 76A Power MOSFET...R6076ENZ4 Datasheet l電気的特性 (Ta = 25 ) Parameter Symbol Conditions Values Unit Min. Typ. Max. 入力容量 Ciss VGS = 0V - 6500 Documents

R6076ENZ4 　　Nch 600V 76A Power MOSFET 　　 Datasheet ll外形図外形図 VDSS 600V TO-247 　 RDSonMax 0042Ω 　 ID ±76A 　 PD 735W 　　　　　　　…

RD3L080SNFRATL : Nch 60V 8A Power MOSFET...RD3L080SNFRA Datasheet l電気的特性 (Ta = 25 C) Parameter Symbol Conditions Values Unit Min. Typ. Max. 入力容量 Ciss VGS = 0V - 380 Documents

RD3L080SNFRA 　　Nch 60V 8A Power MOSFET 　　 Datasheet ll外形図外形図 VDSS 60V 　 RDSonMax 80mΩ DPAK ID ±8A TO-252 PD 15W 　　　　　　　 ll内部回路図内部回路図…

AP3440ABN182 - AKM · 2020. 10. 20. · SS Vout 1.2V OVP(Vout×134%typ) Vout 10ms PG Nch-MOSFET PG_MOS Vout 2us PG_MOS Vout 10ms PG_MOS Vout Discharge VIN EN 3V SS OCL OVP OCL×100% Documents

AP3440 016008997-J-00 201608 - 1 - 1 AP3440 PWM DC-DC 40 125 41V 55V 1822V MOSFET 45A AP3440 28-pin QFN0505 2 41V 55V 1822V 181% 187% 45A : 2100 kHz 1800kHz 2250kHz MOSFET…

RK7002BMT116 : トランジスタRK7002BM Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET Datasheet l外形図 VDSS 60V SOT-23 RDS(on)(Max.) 2.4Ω SST3 ID ±250mA PD 350mW l特長 l内部回路図 Documents

RK7002BM 　　Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET 　　 Datasheet ll外形図外形図 VDSS 60V SOT-23 　 RDSonMax. 2.4Ω SST3 ID ±250mA 　 PD 350mW 　　　　　…

RF6E045AJTCR : Transistors...RF6E045AJ Nch 30V 4.5A Middle Power MOSFET Datasheet l外形図 VDSS 30V TUMT6 RDS(on)(Max.) 23.7mΩ ID ±4.5A PD 1W SOT-363T l内部回路図 l特長 Documents

RF6E045AJ 　　Nch 30V 45A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet ll外形図外形図 VDSS 30V TUMT6 　　　　　　 RDSonMax 237mΩ 　 ID ±45A 　 PD 1W SOT-363T…

RSS070N05HZGTB : トランジスタRSS070N05HZG Nch 45V 7A Power MOSFET Datasheet l外形図 VDSS 45V RDS(on)(Max.) 25mΩ SOP8 ID ±7.0A PD 2.0W l特長 l内部回路図 1) 低オン抵抗2) Documents

RSS070N05HZG 　　Nch 45V 7A Power MOSFET 　　 Datasheet ll外形図外形図 VDSS 45V 　 RDSonMax 25mΩ SOP8 ID ±70A 　 PD 20W 　　　　　　　 ll特長特長…

富士電機パワー半導体 MOSFET セレクションガイドV DSS Products Category Page 1A ID 2A 5A 10A 20A 50A 100A 10Ω RDS(on) 6Ω 1Ω 0.6Ω 0.1Ω 0.06Ω 0.01Ω 0.006Ω 高速ダイオード内蔵タイプ Documents

富士電機パワー半導体セレクションガイド CONTENTS Super J MOS® S2 シリーズ ̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶̶ 6 Super J MOS®…

RUC002N05: Nch 50V 200mA Small Signal MOSFETRUC002N05 Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET Datasheet l外形図 VDSS 50V SOT-23 RDS(on)(Max.) 2.2Ω SST3 ID ±200mA PD 350mW l特長 l内部回路図 Documents

RUC002N05 　　Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET 　　 Datasheet ll外形図外形図 VDSS 50V SOT-23 　 RDSonMax. 2.2Ω SST3 ID ±200mA 　 PD 350mW 　　　　　…

R6009ENJTL : Nch 600V 9A Power MOSFETR6009ENJ Nch 600V 9A Power MOSFET Datasheet l外形図 VDSS 600V TO-263S RDS(on)(Max.) 0.535Ω SC-83 ID ±9A LPT(S) PD 94W l内部回路図 l特長 Documents

R6009ENJ 　　Nch 600V 9A Power MOSFET 　　 Datasheet ll外形図外形図 VDSS 600V TO-263S 　 RDSonMax. 0.535Ω SC-83 ID ±9A LPTS PD 94W 　　　　　　　…

R6024ENZC17 : トランジスタR6024ENZ Nch 600V 24A Power MOSFET Datasheet l外形図 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.165Ω ID ±24A TO-3PF PD 120W l内部回路図 l特長 1) 低オン抵抗2) Documents

R6024ENZ 　　Nch 600V 24A Power MOSFET 　　 Datasheet ll外形図外形図 VDSS 600V 　 RDSonMax. 0.165Ω ID ±24A TO-3PF PD 120W 　　　　　　　 ll内部回路図内部回路図…

Si - MOSFET€¦ · Limketkai ith T 0 =400eV eer/Coehorn V =0.08eV I D /I D V) I D /I D V) V GS (V) V DS =-1V nichtlineare Kennlinie 0 -2 -4 -6 -8 -10 0.0-0.5-1.0-1.5-2.0-2.5 m) 25 Documents

www.tu-ilmenau.dePage 1 VL Polymerelektronik OFET Si - MOSFET S G p-silicon D n+ n+ • Inversionstransistor • ID unabhängig von Si-Dicke G polymer S D Au Au OFET •…

射频MOSFET - Americas · 2021. 1. 14. · 2sc5086 vhf／uhf波段低噪声放大 12 80 100 125 m5／m6 — ft=7ghz mt3s20tu ufm 2.0 2.1 1.7 （mm） vhf／uhf波段低噪声放大，低失真 Documents

45 射频MOSFET 射频小信号MOSFET 型号封装应用电气特性（Ta=25℃）标记类似器件（主导类型）VDS （V） ID （mA） PD （mW） IDSS （mA）…

次世代パワー半導体デバイス GaN HEMT · (d) ゲート電に依存する逆導通特性 si mosfet では閾値電が 2～4v，ゲート耐電が± 20～30v であるが，gan Documents

次世代パワー半導体デバイス GaN HEMT の応用に向けた基礎研究 A Fundamental Study on the Next Generation Power Semiconductor Device “GaN HEMT” for…

42V 3.5A MOSFET 降圧スイッチングレギュレータ …9. Oscillator 外部期機能を持った周波数 300kHz(Typ)の発振回路です。外部CLK をSYNC 端子に入力することにより、250kHz Documents

TO-220FP N- 600 V0.255 13 A MDmesh II Plus low Qg MOSFET · Table 10. 文档修订历史日期修订变更内容 2013年6月04日 1 首次发布。 2013年6月05日 2 –增加：Table Documents

这是关于全面投产产品的信息。 8 2013 DocID024729 第 2 版 112 12 STF18N60M2 TO-220FP 封装 N- 沟道 600 V，0.255 Ω （典型值），13 A MDmesh II Plus…

NJW1871 - 新日本無線（NJR）Nch MOSFET そぽヷな電圧 5.2V typ. 広発振周波数 50kHz to 1MHz 外部うめしうゼ同期可能 PWM 制御方式げどぜくこゐぜ機能 Documents

NJW1871 - 1 - Ver.1.1 www.njr.co.jp カレントモード MOSFET ドライブ昇圧フライバック用スイッチングレギュレータ IC 標準アプリケーション回路…

Fuji Power MOSFET 電力計算方法€¦ · 図2：損失計算波形例 Chapter 3. 電圧・電流波形から電力量[J]を計算する方法図2の様に周期Tの電圧、電流波形の損失計算を行う場合には直線近似が可能な範囲で分割し、計算します。 Documents

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