Si - MOSFET€¦ · Limketkai ith T 0 =400eV eer/Coehorn V =0.08eV I D /I D V) I D /I D V) V GS (V)...
Transcript of Si - MOSFET€¦ · Limketkai ith T 0 =400eV eer/Coehorn V =0.08eV I D /I D V) I D /I D V) V GS (V)...
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Si - MOSFET
S
G
p-siliconD
n+ n+• Inversionstransistor
• ID unabhängig von Si-Dicke
G
polymer
S D
Au Au
OFET
• Anreicherung und Verarmung
• dünne Schicht für Ausschalten TFT
-
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0 -2 -4 -6 -80
-2
-4
-6
I D (µ
A)
UDS
(V)
VGS
= -8V
-6V
-4V
-2V
2 0 -2 -4 -6 -80
-2
-4
-6
I D (n
A)
UGS
(V)
VDS
= -8V
VDS
= -1V
Ausgangs-KLF Transfer-KLF
p-Kanal-OFET
-
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Shockley Gleichung
2
''fo r
2
D S
D is G S th D S D S G S th
VwI C V V V V V V
L
2
''fo r
2
G S th
D is D S G S th
V VwI C V V V
L
Aktiver Bereich:
Sättigungsbereich:
-
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VL Polymerelektronik OFET
Beweglichkeit
Aktiver Bereich:
Sättigungsbereich:
''
D S
D
m is D S
G S V
d I wg C V
d V L
''
2D S
D
is
G SV
d I wC
d V L
-
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p-leitende Materialien
-
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VL Polymerelektronik OFET
p-leitende
Polymere
Adv. Mater. 2013, 25, 4210
-
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n-leitende Materialien
-
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VL Polymerelektronik OFET
n-leitende
Polymere
Adv. Mater. 2013, 25, 4210
-
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ambipolare
Polymere
Adv. Mater. 2013, 25, 4210
-
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n+-silicon gate
SiO2
OH OH OH OH
SiO2
O O O O
Si(CH3)3 Si(CH3)3 Si(CH3)3Si(CH3)3
SiO2
Silanisierung
O2-Plasma: 2 min @ 300W
HMDS: 26 h @ 60°CSpülen: 3min Toluol, 3min Diethylether
-
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Organische Isolatoren
PVP- polyvinylphenol PVC - polyvinylchloride
PS – polystyrene PVDF - polyvinylidenfluoride
PMMA - polymethylmetacrylate PaMS – poly[a-methylstyrene]
PVA – polyvinylalcohol CYPEL - cyanoethylpullulan
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AlOx+SAM
N-alkyl phosphonik acids Cn-PA
Quelle: Org. Elec. 10(2009)1442
2.44nm … 0.41nm
-
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Organic semiconductor
Substrate
Gate dielectric
Gate electrode
Drain Source
Organic semiconductor
Substrate
Gate dielectric
Source
Gate electrode
Drain
Gate dielectric
Substrate
Organic semiconductor
Source Drain
Gate electrode
Source
Gate dielectric
Substrate
Organic semiconductor
Gate electrode
Drain
TOP gate
bottom gate
-
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S
Substrat
Org. HL
IsolatorD
G
S
Substrat
Org. HL
Isolator
D
G
TOC BOC
G
S D
insulator
G
S D
insulator
-
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VL Polymerelektronik OFET
6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)
pentacene (TIPS-Pentacen)
Schichtherstellung aus der Lösung
Tempern bei ca. 100°CBeweglichkeit 0.1 … 1cm2/Vs
2,8difluoro-5,11-bis(triethylsilylethyny)
anthradithiophene (diF-TESADT)
-
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Soft lithography Ink-jet
Quelle: APL 85 (2004) 5730 Quelle: nmat 3 (2004) 137
-
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VL Polymerelektronik OFET
02 | 2 |
e
ln
b
d ep
A
A
b T
i
lN
NU
n
maximale Schichtdicke abhängig von Dotierung
p o ly d ep
d l
1016
1017
1018
1019
0
50
100
150
200
250
NA (cm-3)
l dep
(nm
)
EG=2eV
r=3
-
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VL Polymerelektronik OFET
Schwellspannung
1015
1016
1017
1018
0
5
10
15
20
25
dP3HT
=20nm
dP3HT
=40nm
dPVP
(nm)
400
200
50
Vth
(V)
NA (cm
-3
)
0 100 200 300 400 5000
5
10
15
20
25
Vth (
V)
dPVP
(nm)
dP3HT
(nm)
60
40
20
10
2
''
e2 fo r
A P o ly P o ly
th F B b P o ly d ep
is d ep
N d dV V d l
C l
-
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VL Polymerelektronik OFET
Schwellspannung
2
'' '' ''
e 1 12 e
2
A P o ly P o ly
th F B b F B A P o ly
is d ep is g eo
N d dV V V N d
C l C C
-
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VL Polymerelektronik OFET
2 1
0
2 1
( )
d s
d
gu
m
g s g d
ih
i
gh
j C C
Grenzfrequenz
Transitfrequenz: f=fT für |h21|=1
CgdCgs gm vgs
ig id
S
Vds=0
-
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VL Polymerelektronik OFET
10-3
10-2
10-1
100
101
0.1
1
10
100
fT
100kHz
1MHz
10MHz
L (µ
m)
µ (cm2
/Vs)
VGSeff
=10V
Polymere Oligomere
''
''
2
S ä tt ig u n g :
( )
2 ( )
( )2
g s g d in s in s
m in s G S th
m
T
g s g d
T G S th
C C C C w L
wg µ C V V
L
gf
C C
µf V V
L
Grenzfrequenz
-
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VL Polymerelektronik OFET
Grenzfrequenz
BOC-OFET: dox=50nm; dP3HT=50nm; µ=0.02cm2/Vs
Aktiver Bereich: VDS=-1V; VGS=-6V
10-4
10-2
100
102
104
106
108
0
50
100
150
200
250
curr
ent g
ain
|h21
| (dB
)
frequency (Hz)
L (µm)
20
10
6
2
1
0.5
0.2
0.05
22
T D S
µf V
L
0.1 1 1010
2
104
106
108
simulation
analytical
cuto
ff fre
quen
cy (H
z)
channel lenght (µm)
-
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VL Polymerelektronik OFET
2 ( )
m
T
in s p a ra s it ic
gf
C C
Einfluss parasitärer Kapazitäten:
Reduzierung durch
selbstjustierte Kontakte
z.B. durch
Rückseitenbeleuchtung
S D
gate
Cp Cins Cp
P3HT S D
gate
Cins
P3HT
Photoresis
t
S D
Folien-Substrat
Polymer
Organisher IsolatorG ResistResist
-
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VL Polymerelektronik OFET
Grenzfrequenz S/D zu Gate Überlappung
BOC
oL oL
D S
t
p a r2 ( )
µVf
L L L
2p a r o L
L L 0.1 1 10102
104
106
108
VGS
=-6V; VDS
=-1V
f T (H
z)
L (µm)
simulation
oL=0
oL=5µm
oL=10µm
analytical
-
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VL Polymerelektronik OFET
S
G
DS‘ D‘RS RD
D S
T 2
''
o L G S th2 ( ) 1 2 ( )
in s
µVf
wL L L µ C R V V
L
0,01 0,1 1 10 10010
1
102
103
104
105
106
channel length (µm)
cuto
ff fre
quen
cy (H
z)
R (M)
3.5
35
350
D G S th
A n n a h m e :
S DR R R
R I V V
Einfluss von Serienwiderständen
-
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VL Polymerelektronik OFET
BOC
Einfluss von Serienwiderständen
0.1 1 1010
2
104
106
108
simulation
oL=0
oL=5µm
oL=10µm
analytical
VGS
=-6V; VDS
=-1V
f T (H
z)
L (µm)
R=0
R=1.75kcm
0.1 1 1010
2
104
106
R=0
R=1.75kcm
LoL
=5µm
cuto
ff fre
quen
cy (H
z)
channel lenght (µm)
TOC
BOC
Rpa
r
Rpa
r
TOC
-
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VL Polymerelektronik OFET
Kapazitäten Cgs und Cgd
-3 -2 -1 00
100
200
300
400
500
VDS
(V)
0
-0.5
-1
-1.5
Cgd
Cgs
Cp (p
F)
VGS
(V)
0 -1 -2 -30
100
200
300
400
500
Cgd
Cgs
Cp (p
F)
VDS
(V)
VGS
=-2V
-2.5V
-3V
OFET mit AlOx/SAM Isolator dis=5.3nm; L=200µm; f=500Hz
-
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VL Polymerelektronik OFET
Simulation für P3HT-OFET: µ=10-3cm2/Vs; NA=1016cm-3
Kontakt
-50
-40
-30
-20
-10
0-12 -10 -8 -6 -4 -2 0
VBp
(eV)
0
0.3
0.4
VGS
(V)
I D (p
A/µ
m)
TOC
BOC
5
4
3
2
1
00 -2 -4 -6 -8 -10 -12
VGS
(V)
gm
(pS
/µm
)
VBp
(eV)
0
0.3
0.4
TOC
BOC
TKL SteilheitVDS= -1V
-
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VL Polymerelektronik OFET
Simulation für P3HT-OFET: µ=10-3cm2/Vs; NA=1016cm-3
Kontakt
VGS= -12V
0 -2 -4 -6 -8 -10 -120
-50
-100
-150
-200
-250
VBp
(eV)
0
0.3
0.4
TOC
BOC
I D (p
A/µ
m)
VDS
(V)
G
S D
insulator
G
S D
insulator
BOC
TOC
-
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VL Polymerelektronik OFET
Einfluss des Schottky-Effektes
VGS = -3V FS/D=4.6eV
0
e
4B p
r
EV
Barrierenerniedrigung:
OFET mit AlOx/SAM Isolator dis=5.3nm; L=2µm
0 -1 -2 -30
-10
-20
-30
4.5eV
4.6eV
4.7eV
FS/D
= 4.8eV
I D (µ
A)
VDS
(V)
0 -1 -2 -30
1
2
3
4
5
FS/D
= 4.6eV
-1.8V
-2.1V
-2.4V
-2.7V
VGS
= -3V
gd (µ
S)
VDS
(V)
-
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VL Polymerelektronik OFET
ol ol
5µm
Einfluss der S/D-Überlappung im TOC
VGS = -12V, L=25µm
0 -2 -4 -6 -8 -100
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-140
TOC ol (µm)
5
2.5
0.5
0
BOC
I D (p
A/µ
m)
VDS
(V)
VBp
(eV)
0
0.4
-
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VL Polymerelektronik OFET
-250
-200
-150
-100
-50
00 -2 -4 -6 -8 -10 -12
VDS
(V)
I D (n
A)
µ (cm
2
/Vs)
1x10-3
1x10-6
1x10-7
Anisotropie der Beweglichkeit für TOC
µ|| =10-3cm2/Vs
0 -2 -4 -6 -8 -10 -120
2
4
6
8
10
12 -12
-10
-8
-6
gd (
nS
/µm
)
VDS
(V)
G
S D
insulator
µ||µ µ
VGS=-12V
µ =10-7cm2/Vs
-
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VL Polymerelektronik OFET
Beweglichkeitsmodelle
BOC: TPD-MEH-PPV-OFET: L=25µm; dox=100nm
10-8
10-6
10-4
10-2
100
-8 -6 -4 -2 00.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
constant
Limketkai
with T0=400eV
Pasveer/Coehorn
=0.08eV
ID/I
D(-
8V
)
ID/I
D(-
8V
)
VGS
(V)
VDS=-1V
nichtlineare Kennlinie
0 -2 -4 -6 -8 -100.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
L (µm)
25
1
constant
Limketkai with T0=400eV
Pasveer/Coehorn =0.08eV
I D*L
/w (
nA
)V
DS (V)
VGS=-10V
-
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VL Polymerelektronik OFET
Source Drain40 nm pentacene
300 nm SiO2
heavily doped Si
Gate
OTS
OFET
L=30µm; w=600µm
µ=0.85cm2/Vs
LUMO=3.22eV
HOMO=5.07eV -50 -25 0 25 5010-15
10-12
10-9
10-6
10-3
S=60mV/dec
S=930mV/dec
measurement
simulation
without traps
I D (A
)
VGS
(V)
VDS=-50V
-
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VL Polymerelektronik OFET
Exponentielle Traps
VDS = -50V
Donator: N0,td=1019cm-3; Es=0.1eV
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 5010
-17
10-15
10-13
10-11
10-9
10-7
10-5
I D (
A/µ
m)
VGS
(V)
E0-E
V (eV)
without
0
0.1
0.2
0.3
Akzeptor: N0,td=1018cm-3; Es=0.1eV
-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 5010
-17
10-15
10-13
10-11
10-9
10-7
10-5
I D (
A/µ
m)
VGS
(V)
EV-E
0 (eV)
without
0
0.3
0.5
0.7
0.9
-
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VL Polymerelektronik OFET
DNTT: L=2µm; w=20µm; dox=30nm; dDNTT=30nm
3.6nm AlOx + 1.7nm SAM gate dielectric
0 -1 -2 -30
-4
-8
-12
LC (µm)
200
20
5
VGS
= -3 V
I D (µ
A)
VDS
(V)
Nichtlinearität bei kleinen VDS
-
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VL Polymerelektronik OFET
Drainleitwert
Messung LC =5µm Simulation mit Traps
0 -1 -2 -30
1
2
3
-1.8V
-2.1V
-2.4V
-2.7V
VGS
= -3V
gd (µ
S)
VDS
(V)
0 -1 -2 -30
2
4
6
gd (µ
S)
VDS
(V)
VGS
= -3V
-2.7V
-2.4V
-2.1V
-1.8V
D0=2x1020cm-3eV-1
E0-EV =0.1eV and ES=0.1eV
-
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VL Polymerelektronik OFET
0,0 0,5 1,0 1,510
14
1016
1018
1020
Acceptor-like
states DA(E)
energy (eV)
desn
ity o
f sta
tes
(cm
-3eV
-1)
EV
EC
deep states
tail states
Donor-like
states DD(E)
0, ,
0 ;( ) e x p
A D A D
A D
S
E ED E D
E
Amorphes Si-Modell für Traps
-
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VL Polymerelektronik OFET
Ambipolare OFETs
silicon
SiO2
pentacene
PTCDI-C13H27Au
Mg
+-
Rekombinationsrate
-
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VL Polymerelektronik OFET
Ambipolare OFETs
-
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VL Polymerelektronik OFET
Ambipolare OFETs
1,8-naphtoylene(trifluoromethylbenzimidazole)
-4,5-dicarboxylic acid imide
pentacene
Appl. Phys. Lett. 2013, 10, 073303
-
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VL Polymerelektronik OFET
Sony Mai 2010: OLET organic light-emitting transistor
15nm
40nm
7nm
Vorteil:
Effizienz h =5% OLED 2%
Nachteil:
geringe Leuchtdichte
h+e-emission
-
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VL Polymerelektronik OFET
Ambipolare OFETs
Adv. Mat. 2012, 24, 647
diketopyrrolopyrrole-thienothiophene