Report - FEP-WG活動報告 - JEITAsemicon.jeita.or.jp/STRJ/STRJ/2011/12_FEP.pdf条件2：DOF 線より下（右下方向）の領域で実現可能 20nm 0.14 16nm 0.4 32nm 0.8 DOF 1um DOF

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