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MOSFET: O MOSFET canal p e a Resistência de Saída
Aula 3
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Aula Matéria Cap./página1ª 03/08 Estrutura e operação dos transistores de efeito de campo canal n, características tensão-corrente. Sedra Cap. 4p. 141-1462ª 05/08 Dedução da equação de corrente do MOSFET canal n, resistência de saída na saturação, Exemplo 4.1. Sedra, Cap. 4p. 146-1553ª 10/08 Características do MOSFET canal p, efeito de corpo, sumário, exercícios. Sedra, Cap. 4p. 155-1594ª 12/08 Polarização cc. Exemplos 4.2, 4.5 e 4.6. O MOSFET como amplificador e como chave (apenas destacar a curva de transferência) Sedra, Cap. 4p. 160-1655ª 17/08 O MOSFET como amplificador, modelo equivalente para pequenos sinais, Exemplo 4.10. Sedra, Cap. 4 p. 175-184 6ª 19/08 Configurações básicas de estágios amplificadores MOS. Conceituação. Fonte comum e fonte comum com resistência de fonte. Sedra, Cap. 4 p. 185-1937ª 24/08 Resposta em baixa frequência do fonte comum Sedra, Cap. 4 Sedra, Cap. 4 p. 206-208 8ª 26/08 Resposta em alta frequência do fonte comum Sedra, Cap. 4 Sedra, Cap. 4 p. 203-206 9ª Aula de ExAula avulsa de exercícios (horário 13:00h – 15:00h)1a. Semana de provas (29/08 a 02/09/2016)Data: xx/xx/2016 (xx feira) – Horário: xx:xxh
Eletrônica II – PSI3322Programação para a Primeira Prova
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3ª Aula: O Transistor de Efeito de CampoDetalhes no funcionamento do MOSFET canal nCaracterísticas do MOSFET canal p
- Ao final desta aula você deverá estar apto a:
- Distinguir o “MOSFET canal n” do “MOSFET canal p”- Explicar efeitos de segunda ordem presentes nas leis do MOSFET- Empregar em circuitos as equações do MOSFET- Analisar circuitos de polarização com transistores FET- Projetar circuitos eletrônicos com MOSFETS
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• Região Triodo (VGS > Vt): 0< VDS ≤ VGS-Vt
( )
−−′=
2VVVV
LW kI
2DS
DStGSnD
• Região de Saturação (VGS > Vt): 0< VGS-Vt ≤ VDS
( )2
VVLWkI
2tGS
nD−′= onde oxn
ox
oxn .Cμx
εμ ==′nk(Parâmetro de Transcondu-
tância do processo [A/V2])
Resumindo o NMOSFET
• Região de Corte: VGS≤ Vt ou VGS-Vt ≤0 ID=0
)(
)(
tGSoxnDS
DStGSoxnD
VvLWCr
vVvLWCI
−=
−≈
μ
μ
1
Parabólica
2n(superfície)
2p(superfície)
12
12
μ =450cm /Vsμ =100cm /Vs
0,345 10 /1 10 /
εε
−
−= ×= ×
ox
si
F cmF cm
Linear { se VDS
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Características de Corrente-Tensão do NMOSFET Tipo Enriquecimento
( )
−−′=
2VVVV
LW kI
2DS
DStGSnD
( )2
VVLWkI
2tGS
nD−′=
VGS>Vt
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Um Modelo de Circuito para a Região de Saturação
(VDS > VGS − Vt)
Limiar entre triodo e saturação: vDS = vGS - Vt( )
2VV
LWkI
2tGS
nD−′=
Modelo Geral, válido para qualquer sinal (AC ou DC) na região de saturação
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Exemplo 4.5 Analise o circuito abaixo e determine todas as tensões nos nós e correntes nos ramos.Considere Vt= 1,0 V e kn´=0,02 mA/V2 e (W/L) = 50/1 μm/μm
EquaEquaçções de Iões de IDD=f(V=f(VGSGS, V, VDSDS) de 1) de 1aa OrdemOrdem
• Região Triodo: 0< VDS ≤ VGS-Vt
( )
−−′=
2VVVV
LW kI
2DS
DStGSnD
• Região de Saturação: 0< VGS-Vt ≤ VDS( )
2VV
LWkI
2tGS
nD−′= onde oxn
ox
oxn .Cμx
εμ ==′nk(Parâmetro de Transcondu-tância do processo [A/V2])
Resumindo o NMOSFETNMOSFET
• Região de Corte: VGS≤ Vt ou VGS-Vt ≤0 ID=0
)(
)(
tGSoxnDS
DStGSoxnD
VvLWCr
vVvLWCI
−=
−≈
μ
μ
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Linear ( se VDS >
0,5 6 3 10 3 7D S D DSe I mA V kI V e V V= → = = = − =
( )7 3 4 DS GS tDS V V V saturaçãV e oV ∴ >∴ = − −=
Supondo na Saturação!
VGS
( )2GS tD
V VWI kL 2n
−′=
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Região de SaturaçãoVDS > VGS − Vt
Limiar entre triodo e saturação: vDS = vGS - Vt
NMOSna saturação
NMOSVDS fixo! SATURAÇÃO!
( )2GS tD
V VWI kL 2n
−′=
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A Resistência de Saída Finita na Saturação(modulação do comprimento de canal)
↑ΔL DSV↑com1A A
oD D D
V V VVrI I I Iλ
≈Δ= ≈ = =Δ
DI
TOTALDD
O
SDI I
Vr
≅= +TOTALD D DS D
I I V Iλ= + × 1( )TOTALD D DS
I I Vλ= +
VΔ
TOTALDI
adicionalDI
TOTAL DadicionaD lDII I= +
DSV≅
DSV
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A Resistência de Saída Finita na Saturação(modulação do comprimento de canal)
( ) ).V 1(2
VVLWkI DS
2tGS
nD λ+−′=
↑ΔL DSV↑com DI
VΔ
TOTALDI
adicionalDI
1( )TOTALD D DS
I I Vλ= +TOTAL
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Modelo de circuito equivalente para grandes sinais de um NMOSFET operando em saturação incorporando r0
AVonde 1=λ
( )2 12
( . )REAL
GS tD n DS
v VWi k vL
λ−
′= +
IDidealizado
Do Ir
λ1=
1( )TOTALD D DS
I I Vλ= +
TOTALD D DadicionalI I I= +
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Modelo de circuito equivalente para grandes sinais de um NMOSFET operando em saturação incorporando r0
Di Dadicionali
( )21 12
λ′= − +( . )REALD n GS t DS
Wi k v V vL
1 1
GS t
DS GS t
oD A
v Vv v V
r ondeI V
λλ
≥≥ −
= =
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• Região Triodo (VGS > Vt): 0< VDS ≤ VGS-Vt
( )
−−′=
2VVVV
LW kI
2DS
DStGSnD
• Região de Saturação (VGS > Vt): 0< VGS-Vt ≤ VDS
( ) ( )12
G
f
tD
f
S
e
V VWI kL 2 Sn D
Vλ−
+′=onde oxn
ox
oxn .Cμx
εμ ==′nk
(Parâmetro de Transcondu-tância do processo [A/V2])
NMOSFET(enriquecimento)
• Região de Corte: VGS≤ Vt ou VGS-Vt ≤0 ID=0
)(
)(
tGSoxnDS
DStGSoxnD
VvLWCr
vVvLWCI
−=
−≈
μ
μ
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Linear { se VDS 0
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O MOSFET no SPICE (quics)
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Uma Palavra sobre a Região de CorteVGS < Vt
• Supusemos que quando VGS < Vt o MOSFET está completamentecortado
• No entanto quando VGS levemente menor que Vt um pequena corrente ID flui
• É a chamada região de sub-limiar (sub-threshold), onde no fundoID guarda uma relação exponencial com VGS
• Essa região de sublimiar encontra um número cada vez maior de aplicações nos dias de hoje pois consome menos potência
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O Transistor MOSFET - Canal P (PMOS)
P+ P+
N
Porta(G)Dreno(D)Fonte(S)
Substrato (B)
negativo!
VGS negativo!
VDS
++++++
– – – – –
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Características de Corrente-Tensão do NMOSFET e do PMOSFET (tipo enriquecimento)
PMOS NMOS
VGS>VtVGS
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• Região Triodo: VGS-Vt ≤ VDS < 0 e VGS < Vt
( )
−−′=
2VVVV
LW kI
2DS
DStGSD p
• Região de Saturação: VDS ≤ VGS-Vt < 0 e VGS < Vt
PMOSFET (enriquecimento)
• Região de Corte: VGS≥ Vt ou VGS-Vt ≥ 0 ID=0
)(
)(
tGSoxpDS
DStGSoxpD
VvLWCr
vVvLWCI
−=
−≈
μ
μ
1
Linear ( se |VDS |