MIP6T30MTSCF...Page 3 of 9 製品規格 MIP6T30MTSCF No. 項目記号測定条件(図1 参照)...

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製品規格

MIP6T30MTSCF

種別シリコンＭＯＳ形集積回路

用途スイッチング電源制御用

構造 Bi-CMOS 型

等価回路図 7

外形 DIP7-A1-B マーク記号 MIP6T30

Ａ．絶対最大定格 (Ta=25℃±3℃)

No. 項目記号定格単位備考

1 DRAIN 端子電圧

DRAIN －0.3 ～ 700 V

2 DRAIN電流ピーク

IDP 5 A

3 VCC 端子電圧

VCC －0.3 ～ 45 V

4 VDD 端子電圧

VDD －0.3 ～ 10 V

5 LS 端子電圧

VLS －0.3 ～ 10 V

6 IS 端子電圧

VIS －0.3 ～ 5 V

7 FB 端子電圧

VFB －0.3 ～ 8 V

8 接合温度制御 IC 部&

パワーMOSFET Tj １50 ℃

9 保存温度

Tstg －55 ～＋１50 ℃

Ｂ．推奨動作条件

No. 項目記号条件単位備考

1 接合温度（制御 IC 部）

Ｔｊcon －40 ～＋125 ℃

2 接合温度（パワーMOSFET 部）

Ｔｊmos －40 ～＋150 ℃

3 VCC 動作電圧

VCC 13 ～ 28 V

Doc No. TD4-ZZ-01696 Revision. 0

Established : 2018-02-02 Revised : ####-##-##

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MIP6T30MTSCF

Ｃ．電気的特性測定条件 (Ta=25℃±3℃)

No. 項目記号測定条件(図 1 参照) 標準最小最大単位

【コントロール機能】 *は設計保証項目, **は参考値記載項目

1

VCC起動電圧

VCC(ON)

18.5

16.5

20.5

V

2 VCC停止電圧

VCC(OFF) 10.8 9.8 11.8 V

3 VCC起動/停止電圧差 VCC(ON) - VCC(OFF)

D_VCC 7.7 6.9 8.8 V

4 VDD 基準電圧 VCC = 21 V

VDDreg 5.9 5.6 6.2 V

5 起動前 VCC 端子電流 VCC = VCC(ON) - 0.8 V,

FB = open

ICC（SB） 0.43 0.30 0.56 mA

**6 軽負荷停止時 VCC 端子電流 VCC = 15 V,

IFB = IFB1 – 10 µA

ICC（STB） 0.54 - - mA

**7 軽負荷 PWM 時 VCC 端子電流 VCC = 15 V, IFB = IFB1 + 5 µA,

VDRAIN = 5 V

ICC(OP)L 1.4 - - mA

**8

重負荷 PWM 時 VCC 端子電流 VCC = 15 V, IFB = -20 µA,

VDRAIN = 5 V

mA ICC(OP)H 1.80 - 2.14

9 過負荷保護時 VCC 端子電流 VCC = 15 V

VFB = VFB(OL) → open

ICC(OL) 0.43 0.30 0.56 mA

10 軽負荷 PWM 時出力周波数 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + 5 µA,

VDRAIN = 5 V *図 3 参照

f(PWM)L 25 20 30 kHz

11 重負荷 PWM 時出力周波数 VCC = 21 V, IFB = -20 µA,


ｆ(PWM)H 66 61.4 70.6 kHz

**12 軽負荷PWM時周波数ジッター偏差 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + 5 µA,


d_f(PWM)L 1.13 - - kHz

13 重負荷PWM時周波数ジッター偏差 VCC = 21 V, IFB = -20 µA,


d_f(PWM)H 3.0 1.8 4.2 kHz

**14 周波数ジッター変調率 VCC = 21 V, IFB = -20 µA,


fM 450 - - Hz

15 最大デューティサイクル VCC = 21 V, IFB = IFB3 + 3 µA,

VDRAIN = 5 V

MAXDC 66 61 71 %

16 フィードバック電流 ON → OFF,

VCC = 21 V, VDRAIN = 5V

IFB1 -85 -110 -60 µA

**17 フィードバック電流ヒステリシス OFF → ON,

VCC = 21 V, VDRAIN = 5V

IFBHYS 3 - - µA

**18 軽負荷 PWM 時フィードバック電流 VCC = 21 V,

VDRAIN = 5V *図 3 参照

IFB2 -60 - - µA

**19 重負荷 PWM 時フィードバック電流 VCC = 21 V,


IFB3 -50 - - µA

**20 最大出力時フィードバック電流 VCC = 21 V,


IFB4 -46 - - µA



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MIP6T30MTSCF


21 軽負荷 FB 端子電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB1

VFB1 1.6 1.4 1.8 V

22 重負荷 FB 端子電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB3

VFB3 1.7 1.5 1.9 V

23 FB 端子短絡電流 VCC = 21 V, VFB = 0 V

IFB0 -330 -450 -210 µA

24 出力停止時 FB 端子プルダウン抵抗 VCC = 40 V, VFB = VFB1

RFB(OFF) 400 250 550 Ω

25 VCC 端子充電電流 VCC = 0 V, FB = open,

VLS = 2 V, VDRAIN = 50 V

ICCH1 -11.0 -15.4 -6.6 mA

VCC = VCC(ON)-0.5 V, FB = open,


ICCH2 -3.9 -5.6 -2.2 mA

*26 ソフトスタート時間 VDRAIN = 50 V, VFB = 3V

Tsoft 6.0 3.5 8.5 ms

【保護機能】 *は設計保証項目, **は参考値記載項目

27 過電流保護検出電圧 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

Ton = 4 µs *図 4 参照

VLIMIT 790 734 846 mV

28 過電流保護検出電圧 2 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

Ton = 2 µs *図 4 参照

VLIMIT2 775 705 - mV

29 ブランキング時過電流保護検出 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

基準電圧 VLIM(BLK) 1.90 1.65 - V

**30 オン時ブランキング幅 VCC = 21 V, IFB = IFB3 + 3 µA,

VIS = 1.5 V, VDRAIN = 5 V

Ton(BLK) 330 - - ns

**31 過電流保護遅れ時間 VCC = 21 V, VFB = 3 V

Td(OCL) 270 - - ns

**32 PFM 時電流ピーク検出電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB2 + 5 µA,

Ton = 4 µs

VIS(PFM) 710 - - mV

**33 間欠停止時電流ピーク検出基準電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB1,

VDRAIN = 5 V

VIS(OFF) 120 - - mV

**34 間欠復帰時電流ピーク検出基準電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + IFBHYS,

VDRAIN = 5 V

VIS(OFF)H 240 - - mV

**35 電流ピーク検出電圧ジッター偏差 VCC = 21 V, IFB = IFB2 + 5 µA,

VDRAIN = 5 V

D_VIS 24 - - mV

*36 スロープ補償値 VCC = 21 V, IFB = IFB2 + 5 µA,

VDRAIN = 5 V

VIS_SLP -19.5 -24.0 -14.5 mV/µs

37 過負荷保護検出電圧 VCC = 21 V,

VDRAIN = 5 V

VFB(OL) 4.4 4.1 4.7 V

38 過負荷時 FB 端子電流 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

IFB(OL) -10.0 -13.0 -7.5 µA

**39 過負荷保護検出フィルタ時間 VCC = 21 V,

VDRAIN = 5 V

Td(OL) 20 - - µs

40 IS 端子短絡検出基準電圧 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + 5 µA,

VDRAIN = 5 V

VIS(IST) 50 - 100 mV



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**41 IS 端子短絡検出オン時間 VCC = 21 V, IFB = IFB1 + 5 µA,

VIS = 0V, VDRAIN = 5 V

Ton(IST) 3 - - µs

42 VCC 端子過電圧保護検出電圧 VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

VCC(OV) 31.5 28.5 34.5 V

**43 VCC 端子過電圧保護検出フィルタ時間

Td(VCCOV) 150 - - µs

44 タイマー間欠動作時 VCC 充放電回数 VCC = VCC(ON) ⇔VCC(OFF)

*図 5 参照

COUNT 4

45 VDD 端子ラッチ停止検出電圧 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

VDD(OV) 7.55 7.00 8.10 V

46 VDD 端子ラッチ停止検出電流 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

IDD(OV) 1.6 0.9 2.3 mA

47 VDD 端子クランプ電流 VDD = 10 V

IDD(CLP) 16.5 13.2 19.8 mA

**48 VDD 端子ラッチ停止検出フィルタ時間 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

Td(VDDOV) 150 - - µs

49 VDD 端子リセット電圧

VDDreset 2.7 1.7 3.7 V

*50 過熱保護温度（制御 IC 部）

TOTP 140 130 150 ℃

**51 過熱保護温度ヒステリシス（制御 IC 部）

TOTPHYS 45 - - ℃

52 LS 端子過電圧保護検出電圧 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

VLS(OV) 4.40 4.15 4.65 V

53 LS 端子過電圧保護解除電圧 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

VLS(OV)L 4.18 3.93 4.43 V

**54 LS 端子過電圧保護検出/解除電圧差 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

D_VLSOV 0.22 - - V

55 LS 端子過電圧保護時 VCC = open, VFB = 3 V,


DRAIN 端子電流 ID(LSOV) 2.8 1.8 3.8 mA

**56 LS 端子過電圧保護検出フィルタ時間 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

VDRAIN = 5 V

Td(LSOV) 50 - - µs

57 LS 端子低電圧検出電圧 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,

VDRAIN = 5 V

VLS(UV) 0.73 0.66 0.80 V

58 LS 端子低電圧解除電圧 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,

VDRAIN = 5 V

VLS(UV)H 0.81 0.73 0.89 V

**59 LS 端子低電圧検出/解除電圧差 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,

VDRAIN = 5 V

D_VLSUV 0.08 - - V

**60 LS 端子低電圧検出フィルタ時間 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,

VDRAIN = 5 V

Td(LSUV) 50 - - µs

61 LS 端子検出無効化電圧 VCC = 21 V, VFB = VFB(OL) → 3V,

VDRAIN = 5 V

VLS(DIS) 0.10 0.05 0.15 V



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【パワーMOSFET】 *は設計保証項目, **は参考値記載項目

62 最小DRAIN端子電圧 IFB = -20 µA, VLS = 2 V

※発振開始の DRAIN 電圧

VD(MIN) 25 20 29 V

63 DRAIN 端子耐圧 VCC = 40 V,

IDRAIN = 250 µA,

VDSS - 700 - V

64 DRAIN 端子リーク電流 VCC = 40 V,

VDRAIN = 650 V

IDSS 2 - 7 µA

65

ON 抵抗 VCC = 21 V, VFB = 3 V,

IDRAIN = 1 A

Ω RDS(ON) 0.80 - 1.15

**66

立ち上がり時間 VCC = 21 V, VFB = 3 V,


ns tr 380 - -

**67

立ち下がり時間 VCC = 21 V, VFB = 3 V,


ns tf 60 - -



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【図 1：測定回路図／端子配置図】

【図 2： fosc（出力周波数）, d_fosc（周波数ジッター偏差）, fM（周波数ジッター変調率）特性】

端子端子名機能

1 FB フィードバック制御、過負荷保護

2 GND 電源グラウンド

3 LS 入力過電圧検出/入力低電圧検出時過負荷保護復帰防止

4 IS パワーMOSFET のソース/過電流検出

5 DRAIN パワーMOSFET のドレイン/起動電流供給

6 -

7 VCC バイアス巻線からの電力供給、過電圧保護

8 VDD 回路部電源電圧、外部信号によるラッチ停止

1

2

3

4

8

7

5

1

2

3

4

8

7

5

1

2

3

4

8

7

5

1

2

3

4

8

7

5

VFB/IFB

VIS/IIS

1

2

4

6.8 kΩ

3µF

VLS/ILS

1µF

3

VDD/IIDD

VCC/ICC

VDRAIN/IDRAIN

0.1µF

L

Rd

1µF

8

7

5

Rs

0.1µF

time

出力

周波

数

d_fosc

1/fM

fosc



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【図 3： IS 端子検出電圧－IFB 特性、出力周波数－IFB 特性】

【図 4： IS 端子検出電圧のオン時間依存性】

※VLIMIT および VLIMIT2 測定時のドレイン端子負荷は L=100µH, Rd=51Ω

IS端子の電流ピーク検出電圧

VLIMIT

VIS(PFM)

VIS(OFF)

IFB

出力周波数

f(PWM)H

|IFB(OL)| |IFB4| |IFB3| |IFB2|

発振停止：|IFB1|

f(PWM)L

発振再開：|IFB1|-IFBHYS

VIS(PFM) VISジッター：D_VIS

IFB


中負荷PFM領域Zoom in

全領域周波数ジッター

IFB|IFB1|

|IFB2||IFB3|

VLIMIT

|IFB4||IFB(OL)|

間欠発振領域Zoom in

VIS(OFF)

IFBHYS

VISジッター：D_VIS

IFB発振停止

|IFB1|発振再開

|IFB1|-IFBHYS


VIS(OFF)H

オン時間

Ton2=2µs

IS端子電圧

VLIMIT2 VLIMIT

オン時間

IS端子電圧

Ton1=4µs

VLIMIT(BLK) VLIMIT(BLK)

内部基準電圧内部基準電圧

Td(OCL) Td(OCL)



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【図 5：過負荷保護特性】

【図 6： tr, tf 測定】

time

10%

90%

tf tr

DRAIN voltage

過負荷突入

発振停止タイマー間欠動作開始

VCC端子電圧

出力電力

パワーMOSFET

ドレイン電流

発振停止期間発振期間

VCC(OFF)

最大出力電力

VCC(ON)

FB端子電圧 VFB(OL)

Tsoft Tsoft Tsoft Tsoft

Td(OL)

VFB(OL)

Td(OL)

COUNT



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【図 7：ブロック図】

【使用上の注意 1】

VDD 端子－GND 間には、0.1 µF 以上のセラミックコンデンサを接続してください。

【使用上の注意 2】

以下のような条件では、破損し場合によっては破裂、発煙の可能性があります。以下の使用は避けていただくとともに、安全規格

上の認定試験において、対策が必要になる場合には、入力段へのヒューズ追加や制御端子－GND 間へのツェナーダイオード追加

などの対策を講じてください。具体的な対策については個別に相談させていただくことも可能ですが、最終的にはお客様側にてご判

断をお願いいたします。

（1） DRAIN 端子とＦＢ端子を逆にして、電源基板へ実装する。

（2）定格電圧が異なる端子をショートする。

VDD

FB

VCC(ON)/

VCC(OFF)

+- VDDreg

ExternalLatch

+-

VFB(OL)

Discharge

Circuit

Oscillator

with Jitter

+-VIS(OFF)

Light load Detection

Over Temp. Detection

Under Voltage Lock Out

Regulator

+- Vdrv = 12.5V

VCC

+

- +-VCC(OV)

DRAIN

GND

Power

MOSFET

Timer Intermittent

IS

LS

+

-

Over

Voltage

Detection

RC filter

S

QR

Q

Leading Edge

Blanking

I-V

Converter

Input CompensationOffset for VLIMIT

-VLIMIT

PWM – PFM – PWM

Controller

Slope

Compensation

OVP

OVPDischarge

Circuit

Restart Trigger

MAXDUTY

CLOCK

S

QR

Q

IS-GND shortProtection

Disable

Judgment

Under

Voltage

Detection UV Reset

UV Reset

Reference voltage

with Jitter



本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項

(1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出管理に関する法令を遵守してください。

(2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナ

ソニック株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責任を負うものではありません。

(3) 本書に記載の製品は、一般用途(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)、もしくは、本書に個別に記載されている用途に使用されることを意図しております。特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れの

ある用途－特定用途(車載機器、航空・宇宙用、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、医療機器、安全装置など)でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上、使用条件等に関して別途、文

書での取り交わしをお願いします。文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては、当社は一切の責任を負いません。

(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承くだ

さい。したがって、終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。

(5) 設計に際しては、絶対大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきま

すようお願いいたします。特に絶対大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の故障、欠陥については当社として責任を負いません。また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考

慮の上、当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。

(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的スト

レス）による故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません。また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に

取り決めた条件を守ってご使用ください。

(7) 本書に記載の製品を他社へ許可なく転売され、万が一転売先から何らかの請求を受けた場合、お客様においてその対応をご負担いただきますことをご了承ください。

(8) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。

No.010618

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