NJG1143UA2 GNSS 用低雑音増幅器 GaAs MMICNJG1143UA2 - 2 - 絶対最大定格 Ta=+25 C,...
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NJG1143UA2
- 1 - Ver. 2017-10-27
GNSS用低雑音増幅器 GaAs MMIC
概要 外形
NJG1143UA2は GNSS(Global Navigation Satellite System)での使用を主目的としたスタンバイ機能付き低雑音増幅器です。 本製品は小型、低雑音指数、高利得、および、低消費電流を特
徴とします。1.5V~3.6Vの広い電源電圧で動作するとともに、スタンバイ機能を有し、通信機器の低消費電流に貢献します。本製
品は-40~+105℃の広い温度範囲で動作可能です。外部回路は整合回路 2素子含む計 3素子で構成できます。パッケージに超小型・超薄型(1.0mmx1.0mmx0.37mm)、鉛フリー、RoHS指定対応、ハロゲンフリーの EPFFP6-A2を採用しました。
アプリケーション GPS、GLONASS、Galileo及び COMPASSなどを含む GNSS用途 特徴 低動作電圧 +2.85V typ. (+1.5V~+3.6V) 低切替電圧 +1.8V typ. (+1.5V~+3.6V) 低消費電流 4.0mA typ. @VDD=2.85V, VCTL=1.8V 7μA typ. @VDD=2.85V, VCTL=0V, スタンバイモード 高利得 20.0dB typ. @VDD=2.85V, VCTL=1.8V, f=1575MHz 低雑音指数 0.70dB typ. @VDD=2.85V, VCTL=1.8V, f=1575MHz 1dB利得圧縮時入力電力 -16.5dBm typ. @VDD=2.85V, VCTL=1.8V, f=1575MHz 高入力 IP3 -2.0dBm typ. @VDD=2.85V, VCTL=1.8V, f=1575+1575.1MHz スタンバイ機能 小型パッケージ EPFFP-A2 (パッケージサイズ: 1.0mmx1.0mmx0.37mm typ.) ESD保護回路内蔵 鉛フリー・RoHS指令対応、ハロゲンフリー、MSL1
端子配列 真理値表
“H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) VCTL LNAモード
H アクティブモード L スタンバイモード
注: 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがあります。
端子配列 1. GND 2. VCTL 3. RFOUT 4. VDD 5. GND 6. RFIN
(Top View)
1
4
23
65
GND
RFIN
RFOUT
VDD
VCTL
GND
BiasCircuit
LogicCircuit
NJG1143UA2
- 2 -
絶対最大定格
Ta=+25°C, Zs=Zl=50
項目 記号 条件 定格 単位
電源電圧 VDD 5.0 V
切替電圧 VCTL 5.0 V
入力電力 PIN VDD=2.85V +15 dBm
消費電力 PD 4 層スルーホール付き FR4 基板実装時(101.5 x 114.5mm), Tj=150oC 590 mW
動作温度 Topr -40~+105 °C
保存温度 Tstg -55~+150 °C
電気的特性 1 (DC特性)
共通条件: Ta=+25°C, Zs=Zl=50
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
電源電圧 VDD VDD端子 1.5 - 3.6 V
切替電圧(High) VCTL(H) VCTL端子 1.5 1.8 3.6 V
切替電圧(Low) VCTL(L) VCTL端子 0 0 0.3 V
動作電流 1 IDD1 アクティブモード, VDD端子 VDD=2.85V, VCTL=1.8V - 4.0 6.5 mA
動作電流 2 IDD2 アクティブモード, VDD端子 VDD=1.8V, VCTL=1.8V - 3.0 4.7 mA
動作電流 3 IDD3 スタンバイモード VDD端子 VDD=2.85V, VCTL=0V
- 7.0 15.0 A
動作電流 4 IDD4 スタンバイモード VDD端子 VDD=1.8V, VCTL=0V
- 4.0 10.0 A
切替電流 ICTL VCTL=1.8V, VCTL端子 - 5.0 12.0 A
NJG1143UA2
- 3 -
電気的特性 2 (RF特性, VDD =2.85V) 共通条件:VDD=2.85V, VCTL=1.8V, Freq=1.575GHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
小信号電力利得 1 Gain1 17.5 20.0 22.0 dB
雑音指数 1 NF1 基板、コネクタ 損失(0.08dB)除く - 0.70 0.95 dB
1dB利得圧縮時 入力電力 1 P-1dB(IN)1 -19.0 -16.5 - dBm
入力 3次インター セプトポイント 1 IIP3_1
f1=Freq f2=Freq+100kHz Pin=-34dBm
-6.0 -2.0 - dBm
RF IN VSWR1 VSWRi1 - 1.5 2.0 -
RF OUT VSWR1 VSWRo1 - 1.5 2.0 -
電気的特性 3 (RF特性, VDD =1.8V) 共通条件:VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Freq=1.575GHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
小信号電力利得 2 Gain2 16.5 19.0 21.0 dB
雑音指数 2 NF2 基板、コネクタ 損失(0.08dB)除く - 0.75 1.10 dB
1dB利得圧縮時 入力電力 2 P-1dB(IN)2 -22.0 -19.5 - dBm
入力 3次インター セプトポイント 2 IIP3_2
f1=Freq f2=Freq+100kHz Pin=-34dBm
-10.0 -6.0 - dBm
RF IN VSWR2 VSWRi2 - 1.5 2.3 -
RF OUT VSWR2 VSWRo2 - 1.3 1.7 -
NJG1143UA2
- 4 -
端子情報
番号 端子名 機能説明
1 GND 接地端子(0V)です。端子近傍で接地電位に接続して下さい。
2 VCTL 切り替え電圧印加端子です。この端子に”High”の電圧を印加した場合にはLNAがアクティブ状態に、”Low”の電圧を印加した場合には LNAがスタンバイ状態になります。
3 RFOUT RF信号出力端子です。外部回路図に示す C1を介して RF信号が出力されます。C1は出力整合素子と DCブロッキングキャパシタの役割を兼ねております。
4 VDD LNAの電源電圧供給端子です。端子近傍にバイパスキャパシタを接続して下さい。
5 GND 接地端子(0V)です。端子近傍で接地電位に接続して下さい。
6 RFIN RF信号入力端子です。外部整合回路を介して RF信号が入力されます。 この端子には DCブロッキングキャパシタが内蔵されています。
NJG1143UA2
- 5 -
特性例 共通条件: VDD=2.85V, VCTL=1.8V, Ta=+25oC, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
S11, S22 S21, S12
VSWR Zin, Zout
S11, S22 (f=50MHz~20GHz) S21, S12 (f=50MHz~20GHz)
NJG1143UA2
- 6 -
特性例 共通条件: VDD=2.85V, VCTL=1.8V, Ta=+25oC, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
15
16
17
18
19
20
21
1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 1.75
Noi
se F
igur
e (d
B)
Gai
n (d
B)
frequency (GHz)
NF
NF, Gain vs. frequency(VDD=2.85V, VCTL=1.8V)
Gain
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
-40 -30 -20 -10 0 10
Pout
(dBm
)
Pin (dBm)
P-1dB(IN)=-16.0dBm
Pout
Pout vs. Pin(VDD=2.85V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
8
10
12
14
16
18
20
22
24
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-40 -30 -20 -10 0 10
Gai
n (d
B)
IDD (m
A)
Pin (dBm)
Gain
IDD
Gain, IDD vs. Pin(VDD=2.85V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
P-1dB(IN)=-16.0dBm
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
-40 -30 -20 -10 0 10
Pout
, IM
3 (d
Bm
)
Pin (dBm)
IIP3=-1.3dBm
Pout
IM3
Pout, IM3 vs. Pin(VDD=2.85V, VCTL=1.8V, fRF=1575+1575.1MHz)
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 1.75
OIP
3 (d
Bm
)
IIP3
(dB
m)
frequency (GHz)
OIP3
OIP3, IIP3 vs. frequency(VDD=2.85V, VCTL=1.8V, df=100kHz, Pin=-34dBm)
IIP3
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3ID
D (m
A)
ICTL
(uA
)
VCTL (V)
IDD
IDD, ICTL vs. VCTL(VDD=2.85V, RF OFF)
ICTL
NJG1143UA2
- 7 -
特性例 共通条件: VDD=2.85V, VCTL=1.8V, Ta=+25oC, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
10
12
14
16
18
20
22
24
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
Gai
n (d
B)
Noi
se F
igur
e (d
B)
Temperature (oC)
NF
Gain, NF vs. Temperature(VDD=2.85V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
Gain
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
IDD (m
A) @
activ
e m
ode
IDD (u
A) @
stan
dby
mod
e
Temperature (oC)
IDD vs. Temperature(VDD=2.85V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF)
IDD(Active mode)
IDD(Standby mode)
-24
-22
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
P-1d
B(IN
) (dB
m)
Temperature (oC)
P-1dB(IN) vs. Temperature(VDD=2.85V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
P-1dB(IN)
5
10
15
20
25
30
-10
-5
0
5
10
15
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
OIP
3 (d
Bm
)
IIP3
(dB
m)
Temperature (oC)
IIP3
OIP3, IIP3 vs. Temperature(VDD=2.85V, VCTL=1.8V, fRF=1575+1575.1MHz, Pin=-34dBm)
OIP3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
VSWRi
VSWRo
VSW
Ri,
VSW
Ro
Temperature (oC)
VSWR vs. Temperature(VDD=2.85V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
0
5
10
15
20
0 5 10 15 20
k fa
ctor
frequency (GHz)
k factor vs. frequency(VDD=2.85V, VCTL=1.8V)
+105oC
+25oC
-40oC
NJG1143UA2
- 8 -
特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=+25oC, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
S11, S22 S21, S12
VSWR Zin, Zout
NJG1143UA2
- 9 -
特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=+25oC, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3ID
D (m
A)
ICTL
(uA
)
VCTL (V)
IDD
IDD, ICTL vs. VCTL(VDD=1.8V, RF OFF)
ICTL
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
15
16
17
18
19
20
21
1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 1.75
Noi
se F
igur
e (d
B)
Gai
n (d
B)
frequency (GHz)
NF
NF, Gain vs. frequency(VDD=1.8V, VCTL=1.8V)
Gain
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
-40 -30 -20 -10 0 10
Pout
, IM
3 (d
Bm
)
Pin (dBm)
IIP3=-5.6dBm
Pout
IM3
Pout, IM3 vs. Pin(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575+1575.1MHz)
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
1.45 1.5 1.55 1.6 1.65 1.7 1.75
OIP
3 (d
Bm
)
IIP3
(dB
m)
frequency (GHz)
OIP3
OIP3, IIP3 vs. frequency(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, df=100kHz, Pin=-34dBm)
IIP3
8
10
12
14
16
18
20
22
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-40 -30 -20 -10 0 10
Gai
n (d
B)
IDD (m
A)
Pin (dBm)
Gain
IDD
Gain, IDD vs. Pin(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
P-1dB(IN)=-20.0dBm
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
-40 -30 -20 -10 0 10
Pout
(dBm
)
Pin (dBm)
P-1dB(IN)=-20.0dBm
Pout
Pout vs. Pin(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
NJG1143UA2
- 10 -
特性例 共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
10
12
14
16
18
20
22
24
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
Gai
n (d
B)
Nois
e Fi
gure
(dB
)
Temperature (oC)
NF
Gain, NF vs. Temperature(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
Gain
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
IDD (m
A) @
activ
e m
ode
IDD (u
A) @
stan
dby
mod
e
Temperature (oC)
IDD vs. Temperature(VDD=1.8V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF)
IDD(Active mode)
IDD(Standby mode)
-28
-26
-24
-22
-20
-18
-16
-14
-12
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
P-1d
B(IN
) (dB
m)
Temperature (oC)
P-1dB(IN) vs. Temperature(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
P-1dB(IN)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
OIP
3 (d
Bm
)
IIP3
(dB
m)
Temperature (oC)
IIP3
OIP3, IIP3 vs. Temperature(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575+1575.1MHz, Pin=-34dBm)
OIP3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
VSWRi
VSWRo
VSW
Ri,
VSW
Ro
Temperature (oC)
VSWR vs. Temperature(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
0
5
10
15
20
0 5 10 15 20
k fa
ctor
frequency (GHz)
k factor vs. frequency(VDD=1.8V, VCTL=1.8V)
+105oC
+25oC
-40oC
NJG1143UA2
- 11 -
特性例 共通条件: RF OFF, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
0
1
2
3
4
5
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
IDD (m
A)
VCTL (V)
IDD vs. VCTL(VDD=2.85V, RF OFF)
+105oC
+25oC
-40oC
0
1
2
3
4
5
6
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
IDD (m
A)
VDD (V)
IDD vs. VDD(VCTL=1.8V, RF OFF)
+105oC
+25oC
-40oC
IDD
0
2
4
6
8
10
12
14
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
IDD (u
A)
VDD (V)
IDD vs. VDD(VCTL=0V, RF OFF)
+105oC
+25oC
-40oC
IDD
0
2
4
6
8
10
12
14
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
ICTL
(uA)
Temperature (oC)
ICTL vs. Temperature(VDD=2.85V or 1.8V, VCTL=1.8V, RF OFF)
ICTL
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- 12 -
特性例 共通条件: VCTL=1.8V, Ta=+25oC, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による
15
16
17
18
19
20
21
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Gai
n (d
B)
Nois
e Fi
gure
(dB)
VDD (V)
NF
Gain, NF vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
Gain
(NF: Exclude PCB, Connector Losses)
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5ID
D (m
A) @
activ
e m
ode
IDD (u
A) @
stan
dby
mod
e
VDD (V)
IDD vs. VDD(VCTL=1.8V/0V, RF OFF)
IDD(Active mode)
IDD(Standby mode)
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
OIP
3 (d
Bm
)
IIP3
(dB
m)VDD (V)
IIP3
OIP3, IIP3 vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575+1575.1MHz, Pin=-34dBm)
OIP3
-30
-25
-20
-15
-10
-5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
P-1d
B(IN
) (dB
m)
VDD (V)
P-1dB(IN) vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
P-1dB(IN)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
VSWRi
VSWRo
VSW
Ri,
VSW
Ro
VDD (V)
VSWR vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
0
5
10
15
20
0 5 10 15 20
k fa
ctor
frequency (GHz)
k factor vs. frequency(VCTL=1.8V)
VDD=1.2V
VDD=2.85V, 4V
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外部回路図 ・L1は入力整合用インダクタです。 ・C1は出力整合用キャパシタと DCブロッキングキャパシタを兼ねています。 ・C2はバイパスキャパシタです。
基板実装図
部品番号 型名
L1 村田製作所製 LQP03T_02シリーズ
C1, C2 村田製作所製 GRM03シリーズ
チップ部品リスト
PCB 基板材質:FR-4 基板厚:0.2mm マイクロストリップライン幅:0.4mm
(Z0=50) 外形サイズ:14.0mm×14.0mm
(Top View)
L1 9.1nH
RF IN
RF OUT
VDD
C1 2pF
C2 1000pF
1
4
23
65
GND
RFIN
RFOUT
VDD
VCTL
GND
BiasCircuit
LogicCircuit
VCTL
(Top View)
RF IN RF OUT
VDD
VCTL
L1
C1
C2
NJG1143UA2
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NF測定ブロックダイアグラム
使用測定器 ・NFアナライザ :Agilent 8973A, 8975A ・ノイズソース :Agilent 346A
NFアナライザ設定 ・Measurement mode form Device under test :Amplifier System downconverter :off ・Mode setup form Sideband :LSB ・Averages :16 ・Average mode :Point ・Bandwidth :4MHz ・Loss comp :off ・Tcold :ノイズソース本体の温度を入力
キャリブレーション時
Noise Source (Agilent 346A)
NF Analyzer (Agilent 8973A, 8975A)
Input (50) Noise Source Drive Output
※ノイズソースと NF
アナライザは直接接続
NF測定時
Noise Source (Agilent 346A)
DUT
NF Analyzer (Agilent 8973A, 8975A)
Input (50) Noise Source Drive Output IN OUT
※ノイズソースと DUT、
DUTと NFアナライザは
直接接続
NJG1143UA2
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パッケージ外形図(EPFFP6-A2)
<注意事項>
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ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関
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この製品は静電放電 ・ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。
単位 :mm 基板 :FR-4 端子処理 :Auメッキ モールド樹脂 :エポキシ樹脂 重量 :0.855mg